【ITBEAR科技資訊】2月17日消息，ASML已成功向Intel交付首臺(tái)高NA EUV極紫外光刻機(jī)，為2nm及以下先進(jìn)工藝芯片的生產(chǎn)提供了強(qiáng)大支持。據(jù)悉，臺(tái)積電和三星也將陸續(xù)接收此類光刻機(jī)，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步推動(dòng)1nm工藝的研發(fā)與量產(chǎn)。
在光刻技術(shù)不斷革新的道路上，ASML并未止步。據(jù)ITBEAR科技資訊了解，該公司目前正在積極研發(fā)下一代Hyper NA(超級(jí)NA)光刻機(jī)，旨在延續(xù)摩爾定律的輝煌。與現(xiàn)有的高NA光刻機(jī)相比，Hyper NA光刻機(jī)在技術(shù)上將實(shí)現(xiàn)更大的突破。
回顧ASML光刻技術(shù)的發(fā)展歷程，第一代Low NA EUV光刻機(jī)以0.33 NA的孔徑數(shù)值和13.5nm的臨界尺寸，為4/5nm工藝芯片的制造奠定了基礎(chǔ)。通過(guò)雙重曝光技術(shù)，內(nèi)連接間距得以縮小至21-24nm，進(jìn)一步滿足了3nm工藝的需求，如臺(tái)積電N3B的制造。
隨后，第二代EUV光刻機(jī)將NA值提升至0.55，臨界尺寸縮小至8nm，金屬間距最小約為16nm，為3-1nm工藝的生產(chǎn)提供了有力支持。據(jù)Intel透露，他們將在1.4nm節(jié)點(diǎn)上首次采用這種高NA光刻機(jī)。
ASML首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink在接受采訪時(shí)透露，公司正在研究開(kāi)發(fā)Hyper NA技術(shù)，預(yù)計(jì)將在2030年左右完成。這種新型EUV光刻機(jī)不僅適用于邏輯處理器芯片的制造，而且相比高NA雙重曝光成本更低，還有望應(yīng)用于DRAM內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。盡管低NA光刻機(jī)的成本已高達(dá)1.83億美元，高NA光刻機(jī)更是以3.8億美元起步，但業(yè)界對(duì)Hyper NA技術(shù)的期待依然高漲。
根據(jù)微電子研究中心(IMEC)的路線圖，預(yù)計(jì)在2030年左右，業(yè)界將能夠推進(jìn)到A7 0.7nm工藝。而更先進(jìn)的A5 0.5nm、A3 0.3nm和A2 0.2nm工藝則可能要在2036年左右才能實(shí)現(xiàn)。隨著光刻技術(shù)的不斷進(jìn)步，未來(lái)芯片制造的極限將不斷被挑戰(zhàn)和突破。
