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1月23日消息,據(jù)媒體報道,三星晶圓代工廠開始試產(chǎn)第二代3nm工藝SF3,這是三星半導體工業(yè)史上的重要里程碑事件,標志著三星將與臺積電爭奪先進工藝節(jié)點的霸主地位。

據(jù)了解,SF3節(jié)點可以在同一單元內(nèi)實現(xiàn)不同的環(huán)柵(GAA)晶體管納米片溝道寬度,從而提供更大的設計靈活性,為芯片帶來更低的功耗和更高的性能,并通過優(yōu)化設計增加晶體管密度。

對標臺積電!曝三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)

SF3工藝能夠生產(chǎn)更高效、更強大的芯片,這將推動人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等各個領域的發(fā)展。

據(jù)報道,三星預計在未來6個月時間內(nèi),讓SF3的工藝良率提高到60%以上。

三星SF3工藝會率先應用到可穿戴設備處理器上,三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。

值得注意的是,三星明年商用的Exynos 2500手機芯片將會使用SF3工藝,這顆芯片將由Galaxy S25系列首發(fā)搭載。

對標臺積電!曝三星第二代3nm工藝開始試產(chǎn)

【來源:快科技】

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標簽:三星 工藝 試產(chǎn) 芯片 晶體管 積電 搭載 節(jié)點
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