【ITBEAR科技資訊】2月29日消息，據(jù)消息源@Tech_Reve近日透露，高通公司今年發(fā)布的旗艦芯片驍龍8 Gen 4已全面采用臺(tái)積電的3nm工藝進(jìn)行制造。然而，對(duì)于明年即將推出的驍龍8 Gen 5，高通計(jì)劃實(shí)施多晶圓廠策略。
過(guò)去，三星曾是高通驍龍8 Gen 1芯片的制造商，但因過(guò)熱和效率問(wèn)題，高通決定轉(zhuǎn)向臺(tái)積電，自此，臺(tái)積電便成為了高通的獨(dú)家代工合作伙伴。不過(guò)，這種獨(dú)家代工的局面在明年有望發(fā)生轉(zhuǎn)變。
據(jù)悉，常規(guī)的驍龍8 Gen 5芯片仍將繼續(xù)由臺(tái)積電使用其3nm工藝N3E進(jìn)行制造。但值得關(guān)注的是，專為三星旗艦Galaxy S26系列打造的驍龍8 Gen 5芯片將采用三星的SF2P工藝。與三星此前的SF3工藝相比，SF2工藝在相同頻率和復(fù)雜度下能提升25%的功耗效率，相同功耗和復(fù)雜度下性能提升12%，而在相同性能和復(fù)雜度下，芯片面積能減少5%。
為了進(jìn)一步提升SF2工藝的競(jìng)爭(zhēng)力，三星還將提供一系列先進(jìn)的IP組合，涵蓋LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6以及112G SerDes等技術(shù)。而SF2P作為在SF2工藝基礎(chǔ)上的進(jìn)一步優(yōu)化，特別針對(duì)高性能計(jì)算(HPC)進(jìn)行了調(diào)整，預(yù)計(jì)在性能方面會(huì)有更為顯著的改進(jìn)。
此外，根據(jù)此前的消息，高通驍龍8 Gen 5有望采用名為“Pegasus”的核心設(shè)計(jì)，采用“2+6”的集群設(shè)計(jì)方案，并搭配Slice GPU架構(gòu)，這一改變有望進(jìn)一步提升高通芯片的性能和效率。
