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【ITBEAR科技資訊】3月19日消息,在英偉達(dá)今日舉辦的GTC 2024大會上,CEO黃仁勛隆重揭曉了全新一代GPU——Blackwell。其中首款型號為GB200的芯片預(yù)計將于今年稍后時間面市,引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注。

這款GB200芯片采用了臺積電先進(jìn)的4NP工藝制程,并配備了高達(dá)192 HBM3E的內(nèi)存,集成了驚人的2080億個晶體管。黃仁勛表示,新款芯片在大語言模型方面的性能相較于前代H100有著高達(dá)30倍的提升,同時在成本和能耗方面實現(xiàn)了96%的顯著降低。

就在英偉達(dá)發(fā)布新GPU消息后不久,SK海力士也緊隨其后發(fā)布公告,宣布其最新研發(fā)的超高性能AI內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,并計劃從本月下旬開始向全球客戶供貨。據(jù)ITBEAR科技資訊了解,SK海力士在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域的三大巨頭——三星電子、SK海力士、美光中,率先實現(xiàn)了HBM3E的量產(chǎn),進(jìn)一步彰顯了其在AI存儲器市場的領(lǐng)先地位。

1秒處理超1TB數(shù)據(jù)!SK海力士宣布量產(chǎn)HBM3E內(nèi)存

據(jù)悉,HBM3E每秒可處理高達(dá)1.18TB的數(shù)據(jù)量,這相當(dāng)于在短短1秒內(nèi)就能處理完畢230部全高清(FHD)級別的電影。在散熱技術(shù)方面,SK海力士采用了創(chuàng)新的MR-MUF技術(shù),使得HBM3E的散熱性能相較于上一代產(chǎn)品提升了10%,達(dá)到了業(yè)界頂尖水平。

SK海力士高管在接受采訪時表示:“通過全球首次實現(xiàn)HBM3E的量產(chǎn),我們進(jìn)一步強(qiáng)化了在AI存儲器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這將有助于我們進(jìn)一步鞏固與客戶的關(guān)系,并夯實我們作為全方位人工智能存儲器供應(yīng)商的市場地位。”

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