【ITBEAR科技資訊】5月17日消息，據韓媒ZDNet Korea報道，三星電子正考慮在下一代HBM4內存中采用先進的1c nm制程DRAM芯片，以增強其產品的能效競爭力。
今年年初，三星電子的代表在Memcon 2024行業會議上透露，公司有望在年底前實現1c nm工藝的大規模生產。對于HBM4，三星預計將在明年完成這款新型AI內存的研發工作，并計劃在2026年投入量產。
據ITBEAR科技資訊了解，三星電子在目前已經量產的HBM3E內存中并未采用與競爭對手SK海力士和美光相同的1b nm制程DRAM裸片，而是選擇了相對落后的1a nm顆粒，這使得其產品在能耗方面相較于競品存在一定的劣勢。這一現狀被知情人士視為三星決定在HBM4中引入1c nm DRAM顆粒的關鍵因素。
在半導體制造業中，同一制程技術的首批DRAM產品通常是針對桌面和移動設備的標準DDR/LPDDR產品。只有當這項技術成熟穩定后，才會被應用到高價值但良率較低的HBM內存中。
此外，有相關人士透露，三星電子HBM業務部門的高層和工作組計劃縮短HBM4的開發周期，以滿足AI處理器廠商對高性能內存的需求。然而，這種加速研發的策略可能會增加生產過程中的良率風險。
目前在HBM內存市場占據領先地位的SK海力士也表達了在HBM4E上采用1c nm制程的意向，但具體使用哪種制程的DRAM尚未正式確認。
