【ITBEAR科技資訊】6月13日消息，近日，三星電子在美國硅谷舉辦的“2024年三星代工論壇”上，公開了其半導體技術的未來戰略布局。公司計劃于2027年推出兩種新工藝節點，旨在強化從人工智能(AI)芯片研發、代工制造到組裝的全流程“一站式”服務。
這一策略調整的背后，是三星電子對封裝晶圓代工非內存半導體與高帶寬內存(HBM)集成AI解決方案的深入探索。其目標是打造出高性能且低能耗的AI芯片產品。三星電子表示，此戰略將大幅縮短研發至生產的周期，預計相比現有工藝，耗時能減少約20%。
據ITBEAR科技資訊了解，三星電子在2納米工藝上將有重大創新，即采用背面供電網絡(BSPDN)技術，該技術將被應用在制程節點SF2Z上。這一技術革新性地將芯片的供電網絡轉移至晶圓背面，實現與信號電路的分離，從而簡化供電路徑并降低供電電路對互聯信號電路的干擾。此舉有望顯著提升AI芯片在功率、性能和面積等核心參數上的表現，并減少電壓降，進而提升高性能計算設計的性能。
三星電子還透露，他們計劃在2027年將光學元件技術融入AI解決方案中，以期實現更低的能耗和更快的數據處理速度。而在更早的2025年，三星就預備在4納米工藝中引入“光學收縮”技術(制程節點SF4U)并進行量產，進一步縮小芯片尺寸并提升其性能。
