【ITBEAR科技資訊】5月27日消息，近日有傳聞稱三星電子最新研發的高帶寬內存(HBM)芯片在英偉達的測試中未能通過，原因是存在發熱和功耗問題。然而，三星電子迅速回應并辟謠了這些傳聞。
據韓媒Business Korea援引三星電子的官方聲明，該公司明確表示，他們正在與全球多家合作伙伴順利進行HBM芯片的測試。三星電子強調，他們一直與其他商業伙伴保持緊密合作，以確保其產品的質量和可靠性。這一聲明似乎是對此前負面傳聞的有力回應。
據ITBEAR科技資訊了解，三星最近已開始批量生產第五代HBM芯片——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E產品。與競爭對手SK海力士和美光不同，三星在目前已量產的HBM3E上并未采用1b nm制程DRAM裸片，而是繼續使用1a nm顆粒。這一選擇在能耗方面相較于競爭對手可能存在一定的劣勢。因此，結合近期的負面輿論，一些市場分析師對三星是否有能力迅速從SK海力士等競爭對手手中奪回市場份額表示懷疑。
盡管面臨質疑，但三星電子依然堅持其產品質量和可靠性，并積極與全球合作伙伴進行測試和驗證。未來，三星將如何調整其HBM芯片的生產策略，以及如何在市場競爭中保持領先地位，仍有待觀察。
