【ITBEAR】9月26日消息，SK海力士今日宣布，已在全球范圍內(nèi)率先啟動(dòng)12層HBM3E芯片的量產(chǎn)工作，這一里程碑式的進(jìn)展意味著該公司已成功實(shí)現(xiàn)當(dāng)前HBM產(chǎn)品中最大的36GB容量，并計(jì)劃于年內(nèi)向廣大客戶提供此創(chuàng)新產(chǎn)品。
據(jù)ITBEAR了解，該消息一經(jīng)發(fā)布，SK海力士的股價(jià)在韓國(guó)市場(chǎng)即迎來(lái)顯著上漲，漲幅超過(guò)8%，推動(dòng)其市值攀升至超過(guò)120.34萬(wàn)億韓元，折合人民幣約6351.55億元。
在技術(shù)細(xì)節(jié)方面，SK海力士通過(guò)堆疊12顆3GB DRAM芯片，成功地在保持與現(xiàn)有8層產(chǎn)品相同厚度的同時(shí)，將存儲(chǔ)容量提升了50%。為實(shí)現(xiàn)這一突破，公司采用了先進(jìn)的工藝，將單個(gè)DRAM芯片制作得比過(guò)去薄了40%，并運(yùn)用了硅通孔（TSV）技術(shù)進(jìn)行垂直堆疊。
為解決在堆疊更多變薄芯片時(shí)可能出現(xiàn)的結(jié)構(gòu)性挑戰(zhàn)，SK海力士引入了其核心的先進(jìn)MR-MUF工藝。這一工藝不僅提升了產(chǎn)品10%的散熱性能，還有效地控制了翹曲問(wèn)題，從而確保了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。
自2013年推出第一代HBM以來(lái)，SK海力士已持續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)的發(fā)展，成為業(yè)界唯一一家全面開(kāi)發(fā)和供應(yīng)從第一代至第五代（HBM3E）全系列HBM產(chǎn)品的企業(yè)。此次成功量產(chǎn)12層堆疊產(chǎn)品，不僅是對(duì)人工智能企業(yè)不斷增長(zhǎng)需求的有力回應(yīng)，也進(jìn)一步夯實(shí)了SK海力士在面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
SK海力士強(qiáng)調(diào)，其12層HBM3E在速度、容量和穩(wěn)定性等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到了業(yè)界頂尖水平。具體而言，該產(chǎn)品的運(yùn)行速度高達(dá)9.6Gbps，在配備四個(gè)HBM的GPU上運(yùn)行大型語(yǔ)言模型如“Llama 3 70B”時(shí)，每秒可讀取35次700億個(gè)整體參數(shù)，展現(xiàn)出驚人的數(shù)據(jù)處理能力。
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