【ITBEAR】第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇將于11月18日至21日在蘇州國際博覽中心盛大召開。此次盛會匯聚了國內(nèi)外頂尖院士專家，安排了數(shù)十場會議活動，邀請了數(shù)百位報告嘉賓，吸引了全產(chǎn)業(yè)鏈知名企業(yè)的參與?；顒訉⑷娓采w行業(yè)工藝裝備、原材料、技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用等各個環(huán)節(jié)，整合產(chǎn)、學(xué)、研、用、政、金等多方面的資源，成為年度國際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”。
方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的IDM企業(yè)，近期宣布了其在SiC產(chǎn)能方面的顯著進展。據(jù)透露，公司的Fab1當(dāng)前已實現(xiàn)每月9000片（6英寸）的SiC產(chǎn)能，預(yù)計到2024年底將達到每月1.4萬片，2025年將具備每年16.8萬片車規(guī)SiC MOS的生產(chǎn)能力，同時其GaN產(chǎn)能也達到了每月4000片。Fab2的8英寸SiC生產(chǎn)線計劃于2024年底通線，長遠規(guī)劃產(chǎn)能為每月6萬片。方正微電子當(dāng)前已建成的車規(guī)SiC MOS生產(chǎn)能力，位居中國第一。
方正微電子的系列產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于新能源汽車的多個場景，包括主驅(qū)逆變控制器、OBC、DC/DC、空調(diào)壓縮機以及充電樁等。特別是其車規(guī)1200V SiC MOS產(chǎn)品，已在新能源汽車主驅(qū)控制器上實現(xiàn)了規(guī)模應(yīng)用。
方正微電子表示，其車規(guī)SiC MOS 1200V全系產(chǎn)品的性能已達到國際當(dāng)前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驅(qū)控制器應(yīng)用芯片為例，其核心性能關(guān)鍵指標(biāo)如Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等，均可與國際高端新能源車上應(yīng)用的SiC MOS產(chǎn)品相媲美，個別指標(biāo)甚至領(lǐng)先，完全符合新能源汽車的應(yīng)用需求。
另據(jù)了解，方正微電子的工規(guī)SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列產(chǎn)品已于2023年一季度開始大規(guī)模量產(chǎn)，并廣泛應(yīng)用于光伏、儲能、充電、UPS、工業(yè)電源等領(lǐng)域。截至目前，公司已出貨SiC晶圓超過4萬片。
