【ITBEAR】9月12日消息，三星電子近日宣布，已正式量產采用低功耗設計技術的1太比特四層單元(QLC)第九代V-NAND產品。該技術顯著降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓，進而實現數據讀取功耗降低30%至50%，大幅提升了產品的能效。
通過采用預設模具技術，三星對存儲單元的字線間距進行了精細調整，確保了存儲單元特性的高度一致性。據ITBEAR了解，此項改進不僅在同一層內，而且在不同層之間都實現了性能的提升，數據保存性能因此提高了約20%，顯著增強了產品的可靠性。
在技術創新方面，三星電子的雙堆棧架構和通道孔蝕刻技術使得第九代QLC V-NAND的存儲單元層數達到業界頂尖水平。這一技術的運用，使得新產品的位密度比前一代提升了86%，存儲單元面積和外圍電路得到了顯著優化。
此外，三星的預測程序技術通過精準預測和控制存儲單元狀態變化，有效減少了冗余操作，從而實現了寫入性能翻倍和I/O速度提升60%的顯著成效。
第九代V-NAND還引入了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”，將數據傳輸速度提升了33%，達到每秒3.2千兆位的高速傳輸。同時，三星計劃進一步擴大對PCIe 5.0的支持，以鞏固在高性能NAND市場的領先地位。
值得一提的是，與前一代產品相比，第九代V-NAND在總體功耗上降低了10%，這一成果充分展現了三星在追求技術創新和能效優化方面的堅定決心和卓越能力。
隨著這款高性能、低功耗的第九代V-NAND產品的量產，預計將在品牌消費類產品、移動通用閃存(UFS)、個人電腦等多個領域得到廣泛應用，為廣大客戶提供更加全面和優質的服務。
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