【ITBEAR科技資訊】7月25日消息，據集邦咨詢于7月22日發布的市場研報透露，蘋果公司正在考慮采用QLC NAND閃存技術，并計劃最早在2026年將其應用于iPhone產品中。這一舉措有望將iPhone的存儲上限提升至2TB，為用戶帶來更加充裕的存儲空間。
QLC NAND，即四層單元NAND閃存，相較于目前廣泛使用的TLC NAND(三層單元NAND閃存)，具有更高的存儲密度。具體來說，QLC的每個存儲單元可以儲存4bit數據，相較于TLC，其儲存密度提高了33%。這使得QLC NAND在大容量存儲應用中具有顯著優勢，尤其適合用于入門級消費者固態硬盤等領域。
然而，QLC NAND也存在一定的局限性。其耐久度相對較低，通常的擦寫周期(P/E Cycle)僅在100到1000次之間。為了維持其可靠性，制造商需要實施先進的錯誤校正機制、預留配置(OP)和磨損均衡技術(Wear leveling)。此外，雖然QLC NAND可能不適合寫入密集型工作負載，但它為日常使用提供了充足的存儲容量，使得固態硬盤能夠覆蓋更廣泛的用戶群體。
關于蘋果公司采用QLC NAND的傳聞早已有之。最初的消息稱蘋果計劃在iPhone 14系列上采用這種閃存技術。而根據IT之家的報道，蘋果可能會在iPhone 16 Pro系列上采用QLC NAND。集邦咨詢的預估也表明，蘋果公司正在加速推進QLC NAND的換代工作，以期將iPhone的內置存儲上限提高到2TB。
盡管QLC的存儲密度高于TLC，但其速度卻相對較慢。同時，由于單個存儲單元中存在更多的單元，其耐用性也相對較差，這意味著QLC NAND能處理的寫入周期比TLC要少。盡管如此，蘋果公司仍在積極探索如何使用NAND閃存來存儲大型語言模型(LLMs)，以便在本地運行更多的AI任務。因此，過渡到QLC NAND可能有助于提升Apple Intelligence的表現。
據ITBEAR科技資訊了解，蘋果公司的這一舉措不僅將為用戶提供更大的存儲空間，還可能為其AI技術的發展帶來新的突破。隨著技術的不斷進步和市場需求的持續增長，我們有理由期待QLC NAND在未來的廣泛應用和發展潛力。
