【ITBEAR科技資訊】7月8日消息，三星公司最近宣布，他們已經(jīng)組建了一個(gè)全新的“HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)”。這一重要舉措清楚地表明了三星在高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)領(lǐng)域的堅(jiān)定決心和雄心壯志，標(biāo)志著其在這個(gè)領(lǐng)域的發(fā)展進(jìn)入了一個(gè)全新的階段。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，新成立的HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)將致力于研發(fā)尖端技術(shù)，特別是HBM3、HBM3E以及備受矚目的下一代HBM4技術(shù)。三星此舉意在顯著增強(qiáng)其在全球HBM市場的競爭力，進(jìn)一步擴(kuò)大市場份額。
三星在HBM技術(shù)的研發(fā)上可謂歷史悠久。自2015年以來，該公司就在其DRAM部門內(nèi)專注于HBM技術(shù)的深度開發(fā)，并設(shè)立了專門的團(tuán)隊(duì)和特別工作組來持續(xù)推動技術(shù)的創(chuàng)新和突破。這次組織結(jié)構(gòu)的調(diào)整和優(yōu)化無疑是對過去幾年努力的進(jìn)一步加強(qiáng)，顯示了三星對HBM技術(shù)未來發(fā)展的強(qiáng)烈信心。
三星在搶占高價(jià)值DRAM市場方面表現(xiàn)出了令人矚目的研發(fā)速度和執(zhí)行能力。今年早些時(shí)候，三星成功研發(fā)出了HBM3E 12H DRAM，并在隨后的四月份就實(shí)現(xiàn)了HBM3E 8H DRAM的批量生產(chǎn)。這些顯著的成就充分展示了三星的技術(shù)實(shí)力，并為其在HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
同時(shí)，三星與英偉達(dá)等業(yè)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)的合作正在日益加深。自去年以來，三星一直在積極向英偉達(dá)提供HBM3E樣品以供嚴(yán)格測試，包括8層和12層堆疊技術(shù)。盡管面臨諸多挑戰(zhàn)，但進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)在今年第三季度末將完成部分驗(yàn)證工作。這種合作無疑會加速HBM技術(shù)在高端計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用和普及。
此外，三星還通過官方渠道分享了其HBM產(chǎn)品的最新研發(fā)動態(tài)，并公開了HBM4技術(shù)的研發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)該技術(shù)將在2025年首次亮相。這一消息立即引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注，并激發(fā)了市場對未來高性能計(jì)算和人工智能領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新的期待。
還有傳言稱，三星正在考慮在HBM4中采用革命性的非導(dǎo)電粘合膜(NCF)組裝技術(shù)和混合鍵合(HCB)技術(shù)。這些技術(shù)旨在優(yōu)化高溫環(huán)境下的熱性能，從而進(jìn)一步提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。如果這一傳言成真，那么三星將再次突破現(xiàn)有技術(shù)的邊界。
