【ITBEAR科技資訊】7月22日消息，近日，中國3D NAND Flash制造商巨頭長江存儲(chǔ)(YMTC)在美國對全球半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)美光(Micron)提起法律訴訟，指控其侵犯了長江存儲(chǔ)在美國注冊的11項(xiàng)專利權(quán)。
據(jù)長江存儲(chǔ)方面透露，此次訴訟主要針對的是3D NAND Flash及DRAM產(chǎn)品，所涉專利多達(dá)11項(xiàng)，涵蓋多種技術(shù)層面。特別部分被侵權(quán)的專利涉及到了不同層級(jí)的3D NAND Flash產(chǎn)品，包括96層、128層、176層和232層等高端技術(shù)。長江存儲(chǔ)已向法院提出申請，要求禁止美光在美國繼續(xù)銷售涉嫌侵權(quán)的產(chǎn)品，并需支付相應(yīng)的專利使用費(fèi)用。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，這并非長江存儲(chǔ)首次對美光提起專利侵權(quán)訴訟。早在2023年11月，長江存儲(chǔ)就已在美國加州北區(qū)地方法院向美光及其子公司提起訴訟，指控其侵犯了8項(xiàng)與3D NAND Flash技術(shù)緊密相關(guān)的美國專利。
對于長江存儲(chǔ)的指控，美光公司方面選擇了保持沉默，并未對此事作出任何公開回應(yīng)。在一份官方聲明中，美光表示不對正在進(jìn)行的訴訟進(jìn)行評(píng)論。
此案將在美國法院進(jìn)行審理，業(yè)界普遍關(guān)注其進(jìn)展與結(jié)果。這并非中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)首次在美國發(fā)起專利維權(quán)行動(dòng)。此前，華為技術(shù)有限公司也曾在美國對三星電子提起專利訴訟，并最終成功獲得了高達(dá)2.5億美元的賠償。此類案例不僅彰顯了中國企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面的決心，也為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際競爭力增添了新的砝碼。
