【ITBEAR】9月6日消息，三星電子正致力于研發(fā)新一代DDR內(nèi)存技術，該技術預計在2024年面世，將采用先進的1cnm制程工藝。據(jù)悉，這一技術突破將支持高達32Gb的顆粒容量，為內(nèi)存市場帶來前所未有的存儲能力。
據(jù)ITBEAR了解，三星電子在內(nèi)存技術方面一直處于行業(yè)前沿。此次推出的1cnm制程DDR內(nèi)存，不僅代表了該公司在半導體制造領域的最新成果，更是對整個內(nèi)存行業(yè)的一次重要革新。隨著云計算、大數(shù)據(jù)和人工智能等技術的飛速發(fā)展，對內(nèi)存容量的需求也日益增長，三星的這一新產(chǎn)品無疑將滿足市場的迫切需求。
展望未來，三星電子已制定了明確的技術路線圖。到2026年，該公司計劃發(fā)布其最后一代10nm級工藝的1dnm內(nèi)存。這款內(nèi)存產(chǎn)品同樣將提供32Gb的最大容量，進一步鞏固三星在內(nèi)存市場的領先地位。通過不斷的技術創(chuàng)新和產(chǎn)品升級，三星電子正努力推動全球內(nèi)存行業(yè)的發(fā)展，為未來的數(shù)字化世界構建更強大的存儲基石。
