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據業界預測,相較于現行的N3E工藝,N2工藝有望在維持相同功耗的情況下,實現10%至15%的性能躍升。若以相同運行頻率為基準,新制程則能減少25%至30%的能耗,同時提升15%的晶體管密度。

市場觀察家指出,盡管臺積電2nm晶圓的預估價格攀升至3萬美元以上,超越早先2.5萬美元的預期,且顯著高于目前3nm晶圓的1.85萬至2萬美元價格區間,但考慮到技術突破與成本投入,這一價格定位仍屬合理。每位客戶的實際報價將視訂單規模與合作深度而定,因此市場所見的3萬美元價格僅作為參考。

為滿足對2nm技術的旺盛需求,臺積電正不斷加大研發投入,并推進生產線建設工作。新工藝預計將引入更復雜的EUV光刻技術,甚至可能采用雙重曝光工藝,這無疑會增加生產成本。

臺積電已規劃在2025年下半年啟動N2工藝的量產,并有望在2026年前將首批2nm芯片交付客戶手中。業界普遍預期,科技巨頭蘋果將成為這一先進技術的首批受益者之一。

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標簽:晶體管 功耗 大幅 芯片 積電
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