【ITBEAR】臺積電在半導體技術領域再次取得顯著進展，成功在2nm制程上實現突破，引入創(chuàng)新的GAAFET晶體管技術。此項技術結合NanoFlex特性，為芯片設計帶來全新靈活性。
相較于N3E工藝，N2工藝在維持相同功率時，性能可提升10-15%，或在同頻率下降低功耗達25-30%。更令人注目的是，其晶體管密度增加了15%，標志著技術上的重大跨越。
然而，技術進步帶來成本上升。預計每片300mm的2nm晶圓價格或超3萬美元，顯著高于現有3nm和4/5nm晶圓的價格。
為滿足市場對2nm工藝的強烈需求，臺積電計劃在中國臺灣多地擴建新廠。同時，新工藝將采用更多EUV光刻步驟，甚至可能引入雙重曝光，進一步推高生產成本。
臺積電已定于2025年下半年開始批量生產，并預計最快于2026年向客戶交付N2工藝芯片。業(yè)界普遍預期，科技巨頭蘋果有望成為首個采用該先進工藝的客戶。
