手機(jī)之家
隨著5G時(shí)代來(lái)臨，智能手機(jī)從外在形態(tài)到內(nèi)部配置均有改變。其中，外觀變化最明顯的是全面屏，而配置的變化除處理器外，以存儲(chǔ)和內(nèi)存最具代表性——2019年開始，UFS 3.0逐漸被旗艦機(jī)采用，到2020年搭載LPDDR5內(nèi)存則成為趨勢(shì)，2021年，LPDDR5+UFS 3.1已經(jīng)成了旗艦機(jī)的內(nèi)置存儲(chǔ)標(biāo)配。
要說(shuō)起今年旗艦機(jī)尤其是5G手機(jī)最火的“標(biāo)準(zhǔn)配置”之一是什么，那么UFS 3.1一定占得一席。
毋庸置疑，硬件升級(jí)能夠顯著改善使用體驗(yàn)，只不過(guò)相比處理器、基帶、攝像頭而言，用戶對(duì)于存儲(chǔ)更新帶來(lái)的體驗(yàn)變化或許沒(méi)有那么“敏感”，這是不是意味著存儲(chǔ)的重要性不如其它硬件？當(dāng)然不是。
8月，西部數(shù)據(jù)發(fā)布了全新的移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品——西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，可以說(shuō)這款新存儲(chǔ)產(chǎn)品要容量有容量、要性能有性能，相信在日后的旗艦手機(jī)中，一定會(huì)經(jīng)常見到它的身影。
簡(jiǎn)單了解一下西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件相關(guān)信息——
容量從128GB至512GB，在手機(jī)內(nèi)部空間寸土寸金的今天，該顆粒封裝尺寸僅為11.5×13×1mm，為手機(jī)OEM廠商提供了更大的設(shè)計(jì)空間。
支持UFS 3.1 Gear 4/2 通道，在iNAND SmartSLC Gen6智能緩存加速技術(shù)支持下，性能強(qiáng)悍，最高順序?qū)懭敫哌_(dá) 1550MB/s。相比上一代產(chǎn)品，隨機(jī)讀取性能提升約100% ，隨機(jī)寫入性能提升約40%。
另外，還有Write Booster技術(shù)、Host Performance Booster 2.0技術(shù)以及寫入壽命優(yōu)化技術(shù)加持，讓這顆存儲(chǔ)顆粒看上去異常強(qiáng)悍。
西部數(shù)據(jù)這款iNAND 系列移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品并非一味追求大容量，而是保證夠用容量的前提下，在性能表現(xiàn)上絲毫不妥協(xié)。
同時(shí)西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件還嚴(yán)格遵守了關(guān)于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)三項(xiàng)重要指標(biāo)，分別是：
Write Booster：SLC非易失性緩存，可提高寫入速度。
DeepSleep：一種新的UFS設(shè)備低功耗狀態(tài)，目標(biāo)是與其他功能共享UFS穩(wěn)壓器的低成本系統(tǒng)。
性能限制通知：當(dāng)存儲(chǔ)性能因高溫而被限制時(shí)，UFS設(shè)備可以通知主機(jī)。
手機(jī)存儲(chǔ)對(duì)于5G時(shí)代下的手機(jī)來(lái)說(shuō)，更容易感知到的就是在實(shí)際操作中，這些優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在多任務(wù)執(zhí)行響應(yīng)速度更快、玩游戲的延遲更低畫面更流暢、照片寫入時(shí)間更短和帶來(lái)更佳的省電效果等方面。
手機(jī)越用越卡的核心原因是長(zhǎng)時(shí)間頻繁使用閃存，導(dǎo)致閃存硬件性能下滑，反應(yīng)的最后結(jié)果是閃存讀寫性能下滑。針對(duì)手機(jī)越用越卡的情況，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件也有一定優(yōu)勢(shì)，其內(nèi)部的HPB性能提升系統(tǒng)利用手機(jī)RAM來(lái)緩解閃存的硬件壓力，提升性能，解決閃存長(zhǎng)時(shí)間時(shí)候后性能衰減的問(wèn)題，解決手機(jī)越用越卡的問(wèn)題。
對(duì)于更依賴隨機(jī)讀寫操作的手機(jī)設(shè)備來(lái)說(shuō)，HPB功能可以顯著提高使用體驗(yàn)。
在西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件發(fā)布會(huì)上，西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅表示，全新發(fā)布的iNAND MC EU551嵌入式閃存產(chǎn)品已經(jīng)送測(cè)多家設(shè)備廠商，未來(lái)也會(huì)根據(jù)客戶的實(shí)際需求進(jìn)行量產(chǎn)。
西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷售總監(jiān)文芳女士；
西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理宋學(xué)紅先生
西部數(shù)據(jù)公司中國(guó)區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)銷售總監(jiān)文芳女士在最后也表示：“只有存儲(chǔ)設(shè)備的性能不斷發(fā)展，才能更好地滿足網(wǎng)速提升帶來(lái)的改變，如果單純的網(wǎng)速提升，而手機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備沒(méi)辦法跟上的話，那就談不上更好更快的體驗(yàn)了。”
西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件是iNAND系列產(chǎn)品的新成員，十多年來(lái)，該系列產(chǎn)品一直深受全球主要智能手機(jī)制造商的信任。西部數(shù)據(jù)持續(xù)深耕移動(dòng)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域，與領(lǐng)先的SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員合作，在智能手機(jī)的參考設(shè)計(jì)中驗(yàn)證其UFS 3.1解決方案，從而為制造商提供經(jīng)過(guò)測(cè)試的解決方案。西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件樣品現(xiàn)已開始供貨。容量版本有128GB、256GB和512GB三種類型。
相信未來(lái)使用手機(jī)的過(guò)程中，每次的開關(guān)機(jī)，打開APP、照相等功能的時(shí)候，都需要底層存儲(chǔ)芯片的快速響應(yīng)，考驗(yàn)的是存儲(chǔ)的順序讀寫能力，而西部數(shù)據(jù)憑借先進(jìn)的存儲(chǔ)技術(shù)，結(jié)合技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)的深入融合以及跟客戶的緊密合作，將持續(xù)突破創(chuàng)新邊界，提供更優(yōu)質(zhì)、更領(lǐng)先的存儲(chǔ)技術(shù)和解決方案，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件的強(qiáng)大順序讀取性能，能能夠輕松滿足這部分需求，進(jìn)一步幫助用戶探索數(shù)據(jù)無(wú)限的可能性。
