近期，半導體材料領(lǐng)域迎來了重大突破，天岳先進公司在全球知名的德國慕尼黑半導體展覽會上，震撼發(fā)布了其自主研發(fā)的12英寸（300mm）碳化硅襯底產(chǎn)品。這一里程碑式的創(chuàng)新，不僅刷新了碳化硅襯底技術(shù)的行業(yè)標準，更彰顯了天岳先進在全球碳化硅材料市場的領(lǐng)先地位。
德國慕尼黑半導體展覽會作為全球半導體行業(yè)的盛會，吸引了眾多國際知名企業(yè)參展。天岳先進在展會上發(fā)布的12英寸碳化硅襯底，迅速引起了博世、英飛凌、奔馳等國際巨頭的廣泛關(guān)注。這一產(chǎn)品的成功發(fā)布，標志著天岳先進在碳化硅襯底技術(shù)上的又一次飛躍。
天岳先進在碳化硅襯底技術(shù)領(lǐng)域一直保持著領(lǐng)先地位。早在2023年，公司就成功發(fā)布了全球首枚8英寸液相法制備的低缺陷碳化硅襯底。此次發(fā)布的12英寸碳化硅襯底，更是將公司的技術(shù)優(yōu)勢推向了新的高度。這一產(chǎn)品的成功，得益于天岳先進在合成材料、晶體生長、襯底加工等方面的深厚積累。
碳化硅作為第三代半導體材料的代表，具有優(yōu)異的性能優(yōu)勢，是半導體材料技術(shù)領(lǐng)域重點發(fā)展的方向。隨著新能源汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅材料的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。天岳先進的12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品，將進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量，降低單位成本，為碳化硅材料的更大規(guī)模應用提供了可能。
天岳先進在“液相法”碳化硅襯底技術(shù)領(lǐng)域也取得了顯著成果。液相法具有生長高品質(zhì)晶體的優(yōu)勢，天岳先進通過多年的布局和研發(fā)，成功獲得了低貫穿位錯和零層錯的碳化硅晶體。這一技術(shù)的突破，將極大加速高性能SiC-IGBT的發(fā)展進程，實現(xiàn)高端特高壓功率器件國產(chǎn)化。
天岳先進在碳化硅襯底技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，不僅鞏固了公司在全球市場的領(lǐng)先地位，更為整個碳化硅行業(yè)樹立了新的標桿。公司的12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品，將推動碳化硅材料在更多領(lǐng)域的應用，為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。
天岳先進在國際市場上已展現(xiàn)出強大的影響力。公司不僅成功切入英飛凌、博世等國際大廠的供應鏈，還實現(xiàn)了連續(xù)多個季度的營收環(huán)比增長。此次12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品的海外首發(fā)，更是讓市場對其未來發(fā)展充滿了期待。
