近期，有關(guān)蘋(píng)果即將在2027年推出的20周年版iPhone的技術(shù)創(chuàng)新細(xì)節(jié)逐漸浮出水面。據(jù)悉，蘋(píng)果正致力于開(kāi)發(fā)多項(xiàng)前沿技術(shù)，其中，HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)尤為引人注目，有望成為提升iPhone性能的關(guān)鍵所在，特別是在設(shè)備端的人工智能（AI）應(yīng)用方面。
HBM，即High Bandwidth Memory，是一種采用3D堆疊技術(shù)的新型高性能DRAM。它通過(guò)TSV（硅通孔）技術(shù)，將多個(gè)內(nèi)存芯片垂直堆疊在一起，不僅顯著提高了數(shù)據(jù)吞吐量，還降低了功耗，同時(shí)減小了內(nèi)存芯片的體積。與傳統(tǒng)的2D內(nèi)存相比，HBM憑借其立體互聯(lián)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更高的集成度和更快的讀寫(xiě)速度。
蘋(píng)果計(jì)劃將HBM技術(shù)應(yīng)用于iPhone的GPU單元，以大幅增強(qiáng)設(shè)備端的AI計(jì)算能力。這一舉措對(duì)于運(yùn)行復(fù)雜的端側(cè)AI大模型至關(guān)重要，它不僅能夠有效延長(zhǎng)電池續(xù)航，還能大幅度減少計(jì)算延遲。HBM與處理器通過(guò)共享的Interposer中間介質(zhì)層實(shí)現(xiàn)緊密連接，這種設(shè)計(jì)不僅優(yōu)化了芯片面積的使用，還縮短了數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間。
據(jù)了解，蘋(píng)果已與三星電子和SK海力士等內(nèi)存供應(yīng)商就HBM內(nèi)存的供應(yīng)計(jì)劃展開(kāi)了深入討論。三星正在開(kāi)發(fā)VCS封裝方案，而SK海力士則采用了VFO技術(shù)。兩家公司均計(jì)劃在2026年之后實(shí)現(xiàn)HBM內(nèi)存的量產(chǎn)，以滿(mǎn)足未來(lái)市場(chǎng)需求。
然而，盡管HBM內(nèi)存技術(shù)在性能上具備顯著優(yōu)勢(shì)，但在移動(dòng)設(shè)備中的應(yīng)用仍面臨不少挑戰(zhàn)。HBM的制造成本遠(yuǎn)高于當(dāng)前的LPDDR內(nèi)存，這對(duì)于追求性?xún)r(jià)比的智能手機(jī)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一個(gè)不小的考驗(yàn)。作為一款輕薄設(shè)備，iPhone的散熱能力將是HBM技術(shù)應(yīng)用的重要限制因素。再者，3D堆疊和TSV工藝涉及高度復(fù)雜的封裝技術(shù)，良率的提升也是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。
