近日，半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒NEO Semiconductor宣布了一項(xiàng)可能重塑DRAM內(nèi)存市場的突破性進(jìn)展——兩款全新的3D X-DRAM單元設(shè)計(jì)，即1T1C和3T0C。這兩項(xiàng)設(shè)計(jì)不僅預(yù)示著存儲技術(shù)的重大飛躍，還預(yù)示著未來內(nèi)存容量的顯著提升。
據(jù)悉，1T1C和3T0C分別采用了單晶體管單電容和三晶體管零電容的架構(gòu)，這種創(chuàng)新設(shè)計(jì)預(yù)計(jì)將于2026年迎來概念驗(yàn)證測試芯片的生產(chǎn)。與傳統(tǒng)DRAM模塊相比，這兩款新設(shè)計(jì)的內(nèi)存容量將實(shí)現(xiàn)質(zhì)的飛躍，提供至少10倍的容量提升。
基于NEO的3D X-DRAM技術(shù)，新設(shè)計(jì)的內(nèi)存單元能夠在單一模塊上實(shí)現(xiàn)512Gb（即64GB）的驚人容量，這一數(shù)字遠(yuǎn)超當(dāng)前市場上任何一款DRAM模塊。這無疑為大數(shù)據(jù)處理、高性能計(jì)算和人工智能等領(lǐng)域帶來了前所未有的機(jī)遇。
在性能表現(xiàn)方面，NEO的測試模擬結(jié)果顯示，這些新設(shè)計(jì)的內(nèi)存單元讀寫速度可達(dá)10納秒，數(shù)據(jù)保留時(shí)間超過9分鐘。這兩項(xiàng)性能指標(biāo)均處于當(dāng)前DRAM技術(shù)的最前沿，為用戶提供了更快、更可靠的數(shù)據(jù)存儲解決方案。
新設(shè)計(jì)還采用了基于氧化銦鎵鋅（IGZO）的材料，使得1T1C和3T0C單元能夠像3D NAND一樣進(jìn)行堆疊設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)不僅提高了存儲容量和吞吐量，還保持了節(jié)能狀態(tài)，滿足了現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和低功耗的雙重需求。
NEO Semiconductor的首席執(zhí)行官Andy Hsu對此表示：“隨著1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我們正站在內(nèi)存技術(shù)變革的前沿。這一創(chuàng)新不僅突破了當(dāng)前DRAM的擴(kuò)展限制，還為NEO贏得了下一代內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。”他進(jìn)一步透露，NEO將在本月的IEEE國際存儲器研討會上分享更多關(guān)于這兩款新設(shè)計(jì)以及其他3D X-DRAM和3D NAND系列產(chǎn)品的詳細(xì)信息。
