近日，美光科技正式揭曉了其革命性的智能手機(jī)存儲(chǔ)解決方案，標(biāo)志著全球首款基于G9工藝節(jié)點(diǎn)的UFS 4.1與UFS 3.1存儲(chǔ)芯片已開始向市場供貨。這一創(chuàng)新成果不僅預(yù)示著智能手機(jī)本地人工智能能力的顯著提升，更為未來旗艦產(chǎn)品的性能樹立了新的標(biāo)桿。
據(jù)悉，這些前沿的存儲(chǔ)芯片緊隨美光即將于2026年初推出的1y工藝LPDDR5X芯片之后，預(yù)計(jì)將很快應(yīng)用于高端智能手機(jī)中。LPDDR5X芯片的推出無疑為這一系列的存儲(chǔ)解決方案增添了更多期待。
從技術(shù)層面來看，新型UFS 4.1與UFS 3.1存儲(chǔ)芯片在硬件性能上實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。得益于美光的G9工藝節(jié)點(diǎn)，這些芯片不僅能效更高，讀寫速度也得到了顯著提升。存儲(chǔ)容量范圍從256GB至1TB，完美適配超薄及折疊屏智能手機(jī)，滿足用戶對(duì)大容量與高性能的雙重需求。
值得注意的是，美光在軟件優(yōu)化方面同樣不遺余力，旨在通過軟件與硬件的協(xié)同，進(jìn)一步提升用戶體驗(yàn)及人工智能任務(wù)的執(zhí)行效率。UFS 4.1存儲(chǔ)解決方案引入了分區(qū)UFS技術(shù)，這一創(chuàng)新技術(shù)有效提升了讀寫效率，并顯著降低了寫入放大效應(yīng)。同時(shí)，數(shù)據(jù)碎片整理功能也得到了增強(qiáng)，使得UFS設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)重定位和碎片整理效率提高了60%。
固定寫入加速器（Pinned WriteBooster）的加入，更是將存儲(chǔ)在寫入加速器緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)訪問速度提升了高達(dá)30%，為用戶帶來了更為流暢的使用體驗(yàn)。而智能延遲追蹤器則通過智能分析延遲日志，自動(dòng)進(jìn)行調(diào)試優(yōu)化，這一功能同樣適用于UFS 3.1芯片。值得注意的是，部分高級(jí)功能如分區(qū)UFS技術(shù)和固定寫入加速器等，為UFS 4.1芯片所獨(dú)有，展現(xiàn)了其在性能上的領(lǐng)先地位。
