近期，韓國半導(dǎo)體行業(yè)傳來消息，三星電子為英偉達提供的HBM4內(nèi)存樣品已經(jīng)成功通過了初期測試與質(zhì)量驗證，預(yù)示著這批高端芯片即將邁入預(yù)生產(chǎn)階段。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露，這一進程預(yù)計在本月底正式啟動。
預(yù)生產(chǎn)，即PP（Pre-Production）階段，是半導(dǎo)體產(chǎn)品正式大規(guī)模投產(chǎn)前的關(guān)鍵一環(huán)。在此階段，HBM4芯片將與英偉達的GPU產(chǎn)品進行兼容性測試，同時需確保在特定溫度條件下仍能滿足嚴(yán)苛的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。這一驗證過程對于確保產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。
據(jù)報道，這批HBM4芯片將用于英偉達的下一代AI加速器“Rubin”。目前，英偉達HBM芯片的獨家供應(yīng)商是SK海力士。SK海力士在今年3月已向英偉達提供了HBM4樣品，并于6月初開始初期量產(chǎn)，計劃在10月進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。面對這一競爭態(tài)勢，三星電子若能順利通過預(yù)生產(chǎn)階段，有望在11月啟動HBM4芯片的量產(chǎn)，從而大幅縮小與SK海力士的市場份額差距。
業(yè)內(nèi)專家預(yù)測，三星電子的HBM3E 12層產(chǎn)品也有望在本月底通過英偉達的質(zhì)量測試，并隨后開始供貨。這一進展無疑為英偉達在與SK海力士的HBM供貨量和芯片價格談判中增添了更多籌碼。
韓國媒體SEDaily分析認(rèn)為，如果三星電子能夠順利向英偉達供應(yīng)HBM4和HBM3E芯片，那么明年的AI存儲芯片市場或?qū)⒂瓉碇卮笞兏铩＝鹑谕顿Y界普遍預(yù)測，三星電子明年的HBM銷售額有望實現(xiàn)倍數(shù)級增長。然而，當(dāng)SEDaily就此事向三星電子求證時，對方表示：“涉及客戶的相關(guān)信息，我們不便透露。”
