瀾起科技近日宣布了一項重要技術(shù)進(jìn)展，該公司已成功向全球多家主流內(nèi)存制造商送樣其最新研發(fā)的第二代內(nèi)存接口芯片套件。
這套芯片專為DDR5 MRDIMM（多路復(fù)用寄存器雙列直插式內(nèi)存模組）設(shè)計，包含多路復(fù)用寄存時鐘驅(qū)動器（MRCD）和多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB）。在一個MRDIMM模組中，會配備一顆MRCD和十顆MDB，共同協(xié)作以支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。
據(jù)瀾起科技介紹，第二代MRCD和MDB套件最高支持12800 MT/s的傳輸速率，相較于第一代產(chǎn)品的8800 MT/s，性能提升了約45%。這一顯著的性能飛躍，無疑將為用戶帶來更為出色的內(nèi)存使用體驗。
在MRDIMM內(nèi)存條中，MRCD芯片扮演著緩沖和中繼來自內(nèi)存控制器的地址、命令、時鐘和控制信號的重要角色。而MDB芯片則專注于緩沖和中繼來自內(nèi)存控制器或DRAM內(nèi)存顆粒的數(shù)據(jù)信號。這兩種芯片的協(xié)同工作，結(jié)合時分復(fù)用技術(shù)，使得MRDIMM能夠在標(biāo)準(zhǔn)速率下同時跨兩個內(nèi)存陣列進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，從而實現(xiàn)了相較于標(biāo)準(zhǔn)RDIMM雙倍的數(shù)據(jù)傳輸速率。
瀾起科技總裁Stephen Tai對此表示，隨著人工智能和其他高性能計算應(yīng)用的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心內(nèi)存正朝著更大容量和更高帶寬的方向邁進(jìn)。瀾起科技憑借其在內(nèi)存接口領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和前瞻性布局，成功量產(chǎn)了DDR5第一代MRCD和MDB套件，并迅速迭代推出了第二代產(chǎn)品。這不僅為DDR5內(nèi)存技術(shù)的未來發(fā)展注入了新的活力，也進(jìn)一步鞏固了瀾起科技在全球內(nèi)存接口領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
此次瀾起科技推出的第二代MRCD和MDB套件，無疑將為用戶帶來更為出色的內(nèi)存性能和使用體驗，同時也將推動整個內(nèi)存行業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。
