近期，半導(dǎo)體行業(yè)傳出了一則重量級人事變動(dòng)消息。據(jù)悉，曾在臺積電擔(dān)任要職近二十年的芯片專家Jing-Cheng Lin，在2022年選擇加入三星半導(dǎo)體研究中心系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室，并擔(dān)任副總裁。然而，就在近日，Jing-Cheng Lin已確認(rèn)從三星離職。
Jing-Cheng Lin自1999年起便開始在臺積電工作，直至2017年離職，積累了極為豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。在臺積電期間，他專注于芯片技術(shù)的研發(fā)，為公司的技術(shù)突破做出了重要貢獻(xiàn)。而在2022年，他選擇加入三星，這一決定正值三星積極尋求在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域取得突破之際。
近年來，隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，封裝技術(shù)的創(chuàng)新成為了推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。而Jing-Cheng Lin的加入，無疑為三星在這一領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力。他利用自己在臺積電積累的經(jīng)驗(yàn)，幫助三星在芯片封裝技術(shù)上取得了顯著進(jìn)展。
在三星任職期間，Jing-Cheng Lin主導(dǎo)了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)。特別是在HBM4內(nèi)存封裝技術(shù)方面，他帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)取得了重大突破。鑒于三星在HBM3E市場上的不利地位，公司決定加大在HBM4項(xiàng)目上的投入，以期望在人工智能領(lǐng)域取得領(lǐng)先地位。因此，HBM4項(xiàng)目的成功對于三星來說具有至關(guān)重要的戰(zhàn)略意義。
在三星的這兩年里，Jing-Cheng Lin不僅推動(dòng)了HBM4項(xiàng)目的進(jìn)展，還在其他先進(jìn)封裝技術(shù)上取得了顯著成就。他帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā)了用于3D IC的混合銅鍵合技術(shù)，以及HBM-16H等前沿技術(shù)，為三星在封裝領(lǐng)域的競爭力提供了有力支撐。然而，近日他已在領(lǐng)英上確認(rèn)了離職消息，并表示自己的合同已經(jīng)到期。
