2024年，存儲技術的飛速發展不僅為AI計算與云端應用帶來了前所未有的便利，也標志著數據存儲領域邁入了一個全新的時代。年初，行業巨頭鎧俠推出的首款量產車規級UFS 4.0存儲解決方案，便預示著這一年的不凡。隨后，其RM、PM和XG系列SSD攜手HPE成功登陸國際空間站，進一步展示了其在高端存儲市場的實力。
在追求更大存儲容量的道路上，鎧俠再次邁出關鍵一步。面對AI計算對企業級存儲提出的更高要求，鎧俠正式發布了第八代BiCS FLASH?技術，并推出了TLC和QLC兩大系列。其中，QLC系列在單位空間內實現了存儲容量的顯著提升，2Tb QLC產品的位密度相比上一代提高了約2.3倍，寫入能效比也提升了約70%。更令人矚目的是，該系列采用了全新的產品架構，單個存儲器封裝內可堆疊16個芯片，提供了業界領先的4TB存儲容量，同時保持了緊湊的封裝設計。
這一技術的突破，意味著未來采用第八代BiCS FLASH? QLC的存儲產品將擁有質的飛躍，企業級SSD和數據中心級SSD的容量可輕松突破120TB大關。Pure Storage等公司已開始對這一技術進行測試，并認為它不僅能滿足人工智能的嚴苛需求，還能在備份存儲成本上實現顯著優勢。
與此同時，鎧俠在PCIe 5.0與EDSFF規范上的布局也加速了企業級存儲的普及。10月份，鎧俠推出了全新XD8系列PCIe 5.0 EDSFF E1.S固態硬盤，這是其第三代E1.S產品，符合PCIe 5.0和NVMe 2.0規范，并支持OCP數據中心NVMe SSD v2.5規范。PCIe 5.0的傳輸效率相比PCIe 4.0翻倍，其高帶寬和低延遲特性使得SSD在高負載場合下能夠提供更多并發訪問的可能性，從而滿足AI、數據庫、虛擬化、多媒體編輯等高性能需求。
鎧俠還在前瞻性存儲技術上進行了積極探索。例如，基于相變存儲原理的XL-FLASH存儲級內存與CXL技術的結合，將打造出功耗更低、位密度更高、讀取速度更快的存儲器。這一技術不僅有望提高存儲器利用效率，還能實現顯著的節能效果。而在車規級存儲領域，鎧俠也取得了重要進展，其車規級UFS 4.0產品已獲得ASPICE二級認證，標志著其在結構化項目管理和軟件開發流程上的成熟。
在新型存儲技術的研發上，鎧俠同樣不甘落后。其宣布開發出的OCTRAM技術，是一種新型4F2 DRAM，由高導通電流和超低漏電流的氧化物半導體晶體管組成。這一技術采用InGaZnO晶體管，可將漏電率降低到極低水平，從而顯著降低DRAM功耗。無論是SSD獨立緩存還是內存產品，這一技術都有望帶來高性能、低功耗的產品表現。
