全球半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML正積極布局未來(lái)，著手研發(fā)下一代Hyper NA EUV光刻技術(shù)，旨在為芯片產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定基礎(chǔ)。ASML及其光學(xué)領(lǐng)域的獨(dú)家合作伙伴蔡司（Carl Zeiss），正共同探索能夠?qū)崿F(xiàn)單次曝光分辨率達(dá)到5納米級(jí)別的EUV光刻機(jī)，這一創(chuàng)新將滿足2035年及以后的高級(jí)制程需求。
據(jù)悉，ASML當(dāng)前最先進(jìn)的光刻機(jī)型號(hào)已能實(shí)現(xiàn)單次曝光8納米分辨率，相較之下，以往的老型號(hào)光刻機(jī)則需多次曝光才能達(dá)到相近的分辨率水平，這不僅拖慢了生產(chǎn)效率，也對(duì)良率構(gòu)成了一定限制。
ASML與蔡司正緊密合作，致力于提升光刻機(jī)的數(shù)值孔徑（NA），目標(biāo)直指0.7或以上，這一數(shù)值是衡量光學(xué)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo)，直接關(guān)系到芯片圖案能否以更高精度投射至晶圓表面。NA值的提升，加之光波長(zhǎng)的縮短，將共同推動(dòng)印刷分辨率邁向新高。
目前市場(chǎng)上主流EUV光刻機(jī)的NA值為0.33，而最新一代High NA EUV光刻機(jī)已將這一數(shù)值提升至0.55。在此基礎(chǔ)上，ASML正加速向NA 0.7乃至更高數(shù)值的Hyper NA領(lǐng)域邁進(jìn)，以期在光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)新的突破。
盡管ASML尚未公布這一革命性光刻機(jī)的具體上市時(shí)間表，但其持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與突破，無(wú)疑為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
