來源：環球網
【環球網科技綜合報道】10月11日消息，據韓國媒體最新報道，日前三星電子高管在三星代工論壇上透露，三星電子已確保3nm制程工藝有穩定的良品率，并計劃于明年6月份開始量產，代工相關的芯片。
據了解，為了在半導體制程工藝上追趕上臺積電，三星在3nm工藝的研發當中就率先引入了全新的GAA（Gate-all-around，環繞柵極）技術。三星方面表示，采用這一工藝代工的芯片，性能較5nm將提升50%，能耗降低50%。
外媒指出，三星電子方面對3nm工藝寄予厚望，多年前就已開始研發事宜。在今年6月底，有外媒在報道中表示，三星電子的3nm工藝已成功流片，并計劃于2021年下半年領先臺積電量產3nm。不過在隨后的在“Samsung Foundry Forum 2021”論壇活動上，三星表示轉移到全新的GAA技術難度很高，3nm制程將推遲到2022年上半年量產。
而目前在推進3nm工藝的另一家廠商，是當前全球最大的芯片代工商臺積電，在近幾個季度的財報分析師電話會議上，臺積電CEO魏哲家均透露他們的這一工藝在按計劃推進，計劃今年下半年風險試產，明年大規模量產。
