集微網(wǎng)消息，三星電子今（12）日宣布已開(kāi)始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)制程技術(shù)的14納米 DRAM，繼該公司于去年3月推出業(yè)界首款EUV DRAM后，三星已將EUV層的數(shù)量增加到5層，以為其DDR5解決方案提供當(dāng)今最好、最先進(jìn)的DRAM工藝。
據(jù)悉，隨著DRAM不斷縮小，EUV技術(shù)對(duì)于提高圖形精度以獲得更高性能和更高產(chǎn)量變得越來(lái)越重要。三星電子在14納米 DRAM上使用了5層EUV，實(shí)現(xiàn)了最高的位密度，同時(shí)將整體晶圓生產(chǎn)效率提高了約20%。此外，與上一代DRAM節(jié)點(diǎn)相比，14納米工藝可以降低近20%的功耗。
根據(jù)最新DDR5標(biāo)準(zhǔn)顯示，三星的14納米DRAM將開(kāi)創(chuàng)過(guò)去產(chǎn)品所未有的傳輸速度，速度高達(dá)7.2Gbps，是DDR4的兩倍多。
三星計(jì)劃擴(kuò)大其14納米DDR5產(chǎn)品組合，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算機(jī)和企業(yè)服務(wù)器應(yīng)用。此外，三星希望將其14納米DRAM芯片密度提高到24Gb，以更好地滿足全球IT系統(tǒng)快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求。
三星電子高級(jí)副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人 Jooyoung Lee 表示：“通過(guò)開(kāi)創(chuàng)性的關(guān)鍵模式技術(shù)創(chuàng)新，我們已經(jīng)引領(lǐng)了近30年的DRAM市場(chǎng)。如今，三星正在通過(guò)多層EUV建立起另一個(gè)技術(shù)的里程碑，實(shí)現(xiàn)更加微型化的14納米工藝，這是傳統(tǒng)氟化氬 (ArF) 制程無(wú)法做到的。在此基礎(chǔ)上，我們將繼續(xù)為 5G、AI 和虛擬世界中需要更高性能和更大容量的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)計(jì)算，提供最具差異化的內(nèi)存解決方案。”
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