該研究是由三星高級技術(shù)研究院（SAIT）與三星電子代工業(yè)務(wù)和半導(dǎo)體研發(fā)中心一起展開，由SAIT員工研究員Seungchul Jung博士、SAIT研究員、哈佛大學(xué)教授Donhee Ham博士、以及SAIT技術(shù)副總裁Sang Joon Kim博士帶領(lǐng)的團隊進行。
在現(xiàn)代標準計算機架構(gòu)中，數(shù)據(jù)存儲在內(nèi)存芯片中，數(shù)據(jù)計算在處理器中進行。相比之下，內(nèi)存計算是一種新的計算方式，旨在內(nèi)存網(wǎng)絡(luò)中同時執(zhí)行數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)計算。由于該方案可以處理存儲在內(nèi)存本身的大量數(shù)據(jù)，而無需將數(shù)據(jù)傳輸，而且內(nèi)存中的數(shù)據(jù)處理會以高度并行的方式進行，將可以大大降低功耗。因此，內(nèi)存計算已成為實現(xiàn)下一代低功耗人工智能半導(dǎo)體芯片最有前途的技術(shù)之一。
三星的研究人員通過架構(gòu)創(chuàng)新提供了解決方案，成功開發(fā)了一種MRAM陣列芯片，應(yīng)用了名為“電阻總和（resistance sum）”新型內(nèi)存計算架構(gòu)，解決了單個MRAM器件的小電阻問題。三星的研究團隊通過該MRAM芯片進行AI運算，并對其性能進行了測試，結(jié)果顯示在手寫數(shù)字分類方面的準確率達到了98%，而在場景中檢測人臉方面的準確率達到了93%。
三星認為，MRAM芯片未來還能作為下載生物神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的平臺，因為其計算架構(gòu)與大腦神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)較為類似。
【來源：超能網(wǎng)】
