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英特爾公司在封裝設計中開發(fā)了一種嵌入式電感的全集成穩(wěn)壓器（Fully Integrated Voltage Regulators，F(xiàn)IVR），用于控制芯片在3D-TSV堆疊系統(tǒng)中的功率。
據(jù)eeNews報道，電壓控制器對于3D封裝至關重要，后者將基于工作負載的最優(yōu)流程節(jié)點實現(xiàn)的chiplet封裝在一起。這是一種靈活且經(jīng)濟高效的方法，可以創(chuàng)建多種配置，但需要更復雜的電源控制。
英特爾在俄勒岡州和亞利桑那州的團隊使用0.9nH-1.4nH 3D-TSV基于封裝嵌入式電感器開發(fā)了一種FIVR，其效率比低退出調(diào)節(jié)器（LDO）高37.6%，在10mA-1A負載范圍內(nèi)實現(xiàn)了平坦的效率，而無需相互通信。
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FIVR在基于22nm工藝的裸片上實現(xiàn)，采用三種TSV友好型電感結構，具有多面積與效率的權衡選項。這些很容易并行地構建模塊化設計，可以服務于廣泛而不同的chiplet。
該設計在最近的VLSI 2022研討會上進行了討論。
【來源：集微網(wǎng)】
