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英特爾公司在封裝設計中開發了一種嵌入式電感的全集成穩壓器（Fully Integrated Voltage Regulators，FIVR），用于控制芯片在3D-TSV堆疊系統中的功率。
據eeNews報道，電壓控制器對于3D封裝至關重要，后者將基于工作負載的最優流程節點實現的chiplet封裝在一起。這是一種靈活且經濟高效的方法，可以創建多種配置，但需要更復雜的電源控制。
英特爾在俄勒岡州和亞利桑那州的團隊使用0.9nH-1.4nH 3D-TSV基于封裝嵌入式電感器開發了一種FIVR，其效率比低退出調節器（LDO）高37.6%，在10mA-1A負載范圍內實現了平坦的效率，而無需相互通信。
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FIVR在基于22nm工藝的裸片上實現，采用三種TSV友好型電感結構，具有多面積與效率的權衡選項。這些很容易并行地構建模塊化設計，可以服務于廣泛而不同的chiplet。
該設計在最近的VLSI 2022研討會上進行了討論。
【來源：集微網】
