來(lái)源：快科技
之前傳聞顯示，RTX 40 系列將采用臺(tái)積電 4nm 制造工藝，而在正式發(fā)布的時(shí)候，官方標(biāo)注為 "4N"，和臺(tái)積電說(shuō)的 "N4" 正好反過(guò)來(lái)。這是什么鬼？我們的第一反應(yīng)，是這屬于定制版的臺(tái)積電 4nm，結(jié)果只猜對(duì)了一半。據(jù)了解 4N 工藝確實(shí)是 NVIDIA 與臺(tái)積電定制的，但并非 4nm，而是 5nm，所以完整說(shuō)法應(yīng)該是臺(tái)積電 4N 5nm 工藝。
這也再次證明，臺(tái)積電的 4nm、5nm 工藝并無(wú)本質(zhì)區(qū)別，前者主要是提高了晶體管集成度。當(dāng)然了，總要比 RTX 30 系列的三星 N8 8nm 強(qiáng)太多了。
按照黃仁勛的說(shuō)法，憑借新的架構(gòu)和工藝，RTX 40 系列的能效是 RTX 30 系列的兩倍。
數(shù)據(jù)顯示，Ada Lovelace 架構(gòu)的大核心 AD102 集成了 763 億個(gè)晶體管，核心面積 608.4 平方毫米，密度為 1.255 億個(gè) / 平方毫米，內(nèi)置 18176 個(gè) CUDA 核心、142 個(gè)第三代光追核心、568 個(gè)第四代張量核心。
相比之下，三星 8nm Ampere GA102 核心是 283 億個(gè)晶體管、628 平方毫米，密度為 4510 萬(wàn)個(gè) / 平方毫米。
換言之，臺(tái)積電 4N 的集成密度是三星 N8 的足足 2.8 倍！
( 還是有廠商誤寫(xiě)作 4nm )
