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日經(jīng)中文網(wǎng)8日?qǐng)?bào)道,日本大阪大學(xué)、三重大學(xué)、美國(guó)康奈爾大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出用于“6G”的半導(dǎo)體成膜技術(shù)。

據(jù)悉,研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)出用氮化鋁代替氮化鋁鎵的高電子遷移率晶體管(HEMT)制造技術(shù)。原來(lái)在成膜過(guò)程中氮化鋁表面發(fā)生氧化,由此產(chǎn)生的氧雜質(zhì)改變氮化鋁的結(jié)晶,難以獲得高導(dǎo)電性。通過(guò)形成非常薄的鋁膜,還原表面的氧化膜,并使其揮發(fā)。由此,將導(dǎo)電性提高到原來(lái)的3—4倍。

其特點(diǎn)是不需要使用價(jià)格高的氮化鋁基板,可以在直徑約5厘米的較大藍(lán)寶石基板上實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)造。由于這次是利用研究用的方法成膜,研究小組計(jì)劃換成更實(shí)用的方法,在1年內(nèi)試制出高電子遷移率晶體管。

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