來源：驅(qū)動之家
從本月開始，PCIe 5.0 SSD 固態(tài)盤將會陸續(xù)上市，對于用戶而言，完全可以在等等看，因?yàn)閺S商日子難過，會帶來更多新技術(shù)和新優(yōu)惠。
現(xiàn)在，三星宣布開始大規(guī)模生產(chǎn) 236 層 3D NAND 閃存芯片，并將其命名為第 8 代 V-NAND，方案能帶來 2400MTps 的傳輸速度（對應(yīng)的 SSD 傳輸速度輕松超過 12GBps）。
得益于存儲容量更大。V-NAND V8 閃存的厚度依然可以控制在合理水平，封裝 512GB 容量也不超過 0.8mm，可以用于新一代智能手機(jī)。
按照三星的表述，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，新一代 3D NAND 可提高提高 20% 的單晶生產(chǎn)率，從而進(jìn)一步降低了成本，這可能意味著大家有望買到同容量更便宜的固態(tài)硬盤。
在未來，三星的 V-NAND 閃存堆棧層數(shù)還會進(jìn)一步提升，路線圖中的目標(biāo)是超過 500 層，這被視為 3D 閃存的極限，不過三星還在想法突破，最終能制造 1000 層堆棧的 3D 閃存。
所以現(xiàn)在 2TB 799 便宜只是開始。
