7月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子6月30日在官網(wǎng)宣布，他們采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)的3nm制程工藝，已在當(dāng)日開始初步生產(chǎn)芯片。
而在三星電子的3nm制程工藝開始初步生產(chǎn)芯片之后，臺(tái)積電3nm制程工藝的量產(chǎn)進(jìn)展，也就備受關(guān)注，臺(tái)積電的CEO魏哲家，在周四下午的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，也給出了回應(yīng)。
臺(tái)積電公布的文件顯示，在周四下午的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，魏哲家透露他們?cè)诎从?jì)劃推進(jìn)3nm工藝在下半年以可觀的良品率量產(chǎn)。
另外，魏哲家在會(huì)上還表示，他們預(yù)計(jì)3nm制程工藝在明年上半年就會(huì)為他們帶來(lái)營(yíng)收，在高性能計(jì)算和智能手機(jī)應(yīng)用的推動(dòng)下，產(chǎn)能在明年將平穩(wěn)提升。
同此前已量產(chǎn)的7nm和5nm一樣，臺(tái)積電的3nm工藝也會(huì)有第二代(N3E)。魏哲家在財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上也透露，他們的N3E工藝，將進(jìn)一步擴(kuò)展他們的3nm工藝家族，性能、功耗和良品率將進(jìn)一步提升，計(jì)劃在3nm工藝量產(chǎn)一年后量產(chǎn)。
在3nm制程工藝上，臺(tái)積電和三星電子是不同的路線。三星電子的3nm制程工藝，率先采用全環(huán)繞柵極晶體管架構(gòu)，臺(tái)積電則是繼續(xù)采用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)架構(gòu)。
