韓媒《BusinessKorea》周四 (30 日) 報導(dǎo)，三星電子和 ASML 就引進今年生產(chǎn)的 EUV 曝光機和明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光 High-NA EUV 曝光機達成采購協(xié)議。
三星電子副董事長李在镕本月初赴歐洲之行，他在 6 月 14 日前往 ASML 位于荷蘭 Veldhoven 的總部拜訪執(zhí)行長 Peter Wennink ，兩家公司簽署一項協(xié)議，將引進今年生產(chǎn)的 EUV 曝光機和計劃于明年推出高數(shù)值孔徑極紫外光 High-NA EUV 曝光機。
High-NA EUV 曝光機設(shè)備精密度更高、設(shè)計零件更多，是延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵，推動 2 奈米以下制程電晶體微縮，估計每臺要價 4 億美元 (5000 億韓元)。
ASML (ASML-US) 今年只能生產(chǎn) 50 臺 EUV 設(shè)備，交貨周期為 1 年又 6 個月，ASML 有限的生產(chǎn)能力和較長的交貨時間正加劇各大晶圓代工廠訂購 High-NA EUV 曝光機的競爭。
李在镕此次歐洲行就是要積極確保穩(wěn)定供應(yīng)，期許在先進制程上追趕臺積電，搶坐市占第一寶座。
英特爾 (INTC-US) 早前已率先與 ASML 簽約采購 5 臺這款新設(shè)備，還宣稱 2024 年初就能生產(chǎn) 20A (2 奈米)、2024 年下半更能生產(chǎn) 18A (1.8 奈米)。臺積電也在 6 月 16 日美國矽谷研討會上表示，臺積電 (2330-TW)(TSM-US) 會在 2024 年擁有 ASML 次世代最先進的曝光機。
該報導(dǎo)指出，High-NA EUV 曝光機應(yīng)用于其晶片制程的具體時間尚未確定，但考慮到交貨時間，預(yù)計三星將從 2024 年開始實際使用這項設(shè)備。
近期一些市場觀察人士呼吁韓國政府對半導(dǎo)體業(yè)提供更多支持，前三星電子半導(dǎo)體研究所所長 Kim Kwang-gyo 近期表示韓國政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)過于輕視，若不果斷擴大投資和解決半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)問題，韓國半導(dǎo)體業(yè)會面臨死路一條的局面。
三星電子已獲得 ASML 今年 EUV 曝光機產(chǎn)能中的 18 臺。這意味三星僅在 EUV 曝光機上就將投資超過 4 兆韓元。一位業(yè)內(nèi)人士表示，如果三星采購 10 臺 High-NA EUV 曝光機，三星將花費超過 5 兆韓元，政府有必要擴大支持，以提高韓國國家產(chǎn)業(yè)競爭力。
