10 月 10 日消息 根據外媒 techpowerup 報道，美國公司 Synopsys(新思)于 10 月 9 日宣布推出業界首個完整的 HBM3 IP 內存芯片設計方案。這項技術是 HBM2e 的升級版，可以滿足高性能計算設備、計算加速卡等產品的高帶寬需求，采用多層芯片封裝的工藝。HBM 內存通常封裝在 GPU 芯片旁，相比傳統顯存芯片速率大幅提升，HBM3 可以實現高達 921GB/s 的內存帶寬。
據了解，新思科技是全球排名第一的電子設計自動化 (EDA) 解決方案提供商，全球排名第一的芯片接口 IP 供應商，主要提供芯片設計軟件和解決方案等。本次發布的 HBM3 解決方案，包括驗證 IP、用于 ZeBu 仿真的 HBM3 模型以及 HAPS 原型設計方案等，可以加速相關產品的設計開發流程。
新思科技的 DesignWare HBM3 控制器 IP 還支持多種靈活的配置，包括糾錯碼、刷新管理、奇偶校驗等高級 RAS 功能，可以最大化減少內庫存延遲，優化數據完整性。具體來看，方案中的 HBM3 芯片利用特制的微凸點陣列與中間通訊層連接，中間層采用內走線設計，具有更大的靈活性，有助于縮小長度。
DesignWare HBM3 PHY IP 采用 5nm 制造工藝，同時每個引腳的通訊速度高達 7200Mbps。芯片的電源效率相比前代產品也有提升，并支持多達 4 種功耗狀態。官方表示，Synopsys 公司將繼續滿足數據密集型 SoC 的設計和驗證要求，為 HBM3、DDR5、LPDDR5 內存提供高質量的解決方案。
了解到，美光、三星電子以及 SK 海力士等該公司均表示，將繼續與新思科技進行合作，致力于開發下一代 HBM3 內存，以滿足日益增長的 AI、圖形運算需求。
