8 月 22 日消息 在 HotChips 33 大會上，三星確認正在開發具有 8 層 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 內存模塊，是 DDR4 內存容量的兩倍。這意味著理論上，512GB 內存模塊是可能實現的。
通過優化封裝，三星的 DDR5 內存模塊高度將低于 DDR4 4 層內存。由于管芯之間的間隙更小(減少 40%)以及通過實施薄晶圓處理技術，高度的降低成為可能。重要的是，8 層 TSV 模塊將提供更好的散熱。
三星預計 DDR5 內存將提供比 DDR4 提升 85% 的性能，提供高達 7.2 Gbps 的帶寬，以及高達 512GB 的雙倍容量。同時，新模塊將具有更低的 1.1V 電壓，提高電源效率。
了解到，三星表示，預計到 2023/2024 年能夠向主流市場提供該 DDR5 內存，數據中心市場的產品將更快推出，計劃在今年年底前生產 512GB 內存模塊。
