據臺灣工商時報報道，全球晶圓代工龍頭臺積電已啟動3nm晶圓廠Fab 18B廠興建，預期明年下半年進入量產，至于選定在新竹寶山興建的2nm晶圓廠雖然仍有環評問題有待解決，但新廠預估會在明年下半年動土興建。據半導體設備商預估，臺積電3nm及2nm的技術研發及產能投資，合計超過新臺幣2兆元（約合人民幣4645億元，718.7億美元）的大投資計劃已正式啟動，半導體設備廠將直接受益。
在此前的法說會上，臺積電曾宣布將今年資本支出將提升至250～280億美元創下歷史新高紀錄，同時改寫臺灣科技業單一廠商年度資本支出的新高紀錄。臺積電未來幾年的重大投資，在于建置3nm鰭式場效電晶體（FinFET）制程產能，以及2nm環繞閘極（GAA）制程產能，設備業者推估未來3～5年的資本支出維持高檔，整個3nm及2nm大投資總金額將超過新臺幣2兆元。
臺積電專為3nm打造的南科Fab 18B廠已經開始動土興建，預期將興建Fab 18廠區第四期至第六期等共三座晶圓廠，總月產能約達9萬片，臺積電規劃的3nm廠房基地面積約為35公頃，潔凈室面積將超過16萬平方公尺，大約是22座標準足球場大。臺積電3nm預計今年下半年試產，明年下半年進入量產，屆時將成為全球最先進的邏輯制程技術，使得臺積電持續保持技術領先的地位。
臺積電2nm已進入技術研發階段，建廠地點已選定在新竹寶山，雖然近期仍有環評問題有待解決，但業界評估應可順利過關。臺積電2nm初期建廠將維持三座廠的超大型晶圓廠（GigaFab）建置，預計2nm將于3nm量產第二年的2023年進入試產，2024年進入量產，屆時臺積電2nm仍會是當時全球最先進的邏輯制程技術。
由于3nm及2nm都采用先進的極紫外光（EUV）光刻技術，臺積電未來幾年資本支出將維持高檔，2nm進入量產之際，臺積電的EUV機臺總數將上看100臺龐大規模，成為全球擁有最大EUV產能的半導體廠。為搭配先進制程技術推進，臺積電同步布局3D Fabric先進封裝，看好小晶片（chiplet）架構帶來新成長動能，芯片或晶圓堆疊的SoIC技術預計在2022年開始量產。
臺積電全力沖刺3nm及2nm先進制程的同時，也對臺灣供應鏈擴大下單，包括EUV光罩載具廠家登，廠務工程業者漢唐及帆宣，設備及備品供應商京鼎及弘塑，綠色制程廠務工程業者信纮科，精密零組件供應商意德士及公準，檢測分析業者宜特及閎康等臺積電大聯盟合作伙伴直接受惠。
【來源：芯智訊】
