12 月 9 日消息，據 The Elec 報道，ASML 近日在“2022 半導體 EUV 生態系統全球大會”上指出，ASML 的 EUV 設備生產臺數已經從 2019 年的 22 臺增加到 2021 年的 42 臺，預計今年將超過 50 臺，明年生產臺數將進一步增加。High-NA EUV 設備將于明年年底推出初始版本，量產型號將于 2024 年底或 2025 年初推出。
在 10 月 19 日的第三季度財報公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 業務中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的額外訂單;目前所有的 EUV 客戶都已提交 High-NA 訂單。” High-NA EUV 設備是將集光能力的鏡頭數值孔徑(NA)從 0.33 提高到 0.55 的設備。比現有的 EUV 設備處理更精細的半導體電路。業界大多數人認為，High-NA 設備對 2nm 工藝至關重要。
另據 etnews 報道，三星電子和 SK 海力士向光刻機巨頭 ASML 訂購了下一代半導體設備 High-NA 極紫外光(EUV)曝光設備。繼臺積電和英特爾之后，韓國半導體制造商也在準備引進能夠實現 2nm 工藝的設備。對最先進工藝的競爭預計將加劇。
IT之家了解到，High-NA EUV 設備比目前使用的 EUV 設備更昂貴，但它可以一次性實現超精細工藝(單次圖案化)，這可以極大地提高生產力。就三星電子而言，有必要在 3nm 量產后搶先確保 High-NA EUV 設備用于 2nm 量產。現有的 EUV 設備估計需要 2000 億韓元(約 10.08 億元人民幣)至 3000 億韓元(約 15.12 億元人民幣)，而 High-NA EUV 設備估計需要花費 5000 億韓元(約 25.2 億元人民幣)。
