【ITBEAR科技資訊】3月16日消息，近日，吉利科技旗下的功率半導(dǎo)體公司浙江晶能微電子宣布，他們自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片。該款芯片采用了第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù)，優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通/開(kāi)關(guān)損耗，功率密度增大約 35%。
IGBT 是現(xiàn)代電力電子中的主導(dǎo)型器件，因其優(yōu)越的性能而被譽(yù)為電力電子裝置的“CPU”。該款 IGBT 芯片的綜合性能指標(biāo)已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，被視為未來(lái)功率芯片和模塊創(chuàng)新應(yīng)用的關(guān)鍵組件之一。
據(jù)晶能微電子介紹，一輛典型的新能源汽車(chē)所需的芯片數(shù)量超過(guò) 1200 顆，功率半導(dǎo)體占比接近 1/4。因此，晶能微電子將繼續(xù)致力于研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產(chǎn)品，以滿足動(dòng)力總成系統(tǒng)中的開(kāi)發(fā)需求。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，近期也有行業(yè)開(kāi)發(fā)者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起，形成混合并聯(lián)模塊的解決方案。未來(lái)，功率芯片和模塊的創(chuàng)新應(yīng)用場(chǎng)景會(huì)更加豐富。
晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司，其聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì) + 模塊制造 + 車(chē)規(guī)認(rèn)證”的綜合能力，為新能源汽車(chē)、電動(dòng)摩托車(chē)、光伏、儲(chǔ)能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。
