【網界科技】3月13日消息，三星電子近日公布的《三星電子事業報告書》顯示，三星將于今年上半年開始量產基于第三代 4 納米工藝的芯片。該芯片將解決早期階段的良率問題，提升性能、功耗和面積。
此次公布是三星首次提及第三代 4 納米芯片的具體量產時間。相比早期版本 SF4E，第二代和第三代芯片表現出更好的性能、更低的功耗和更小的面積。
據業內人士估計，三星電子目前的 4 納米工藝良率可達到 60%，相較于同類型的臺積電的 70~80%還有一定差距。不過，專家認為三星電子的良品率正在迅速提高，后續產品的量產也在加快。
據網界科技了解，盡管目前最先進的半導體工藝是 3 納米級別，但臺積電和三星電子的主要產品仍然是 4 納米和 5 納米。據市場研究公司 Counterpoint Research 的數據，去年第三季度，4 納米和 5 納米工藝占銷售額占比最高，達到了 22%。而 6 納米和 7 納米工藝的銷售額占比為 16%。
值得注意的是，三星電子在早期版本 SF4E 芯片實現商用后，曾遇到一系列的芯片產量管理問題，最終因為能耗表現不佳和產能限制，將大客戶高通拱手讓給了臺積電。但專家們認為，隨著三星電子在先進工藝上不斷突破，在性能提高的前提下保證產能，預計可在 5 納米級以上的工藝量產方面與臺積電進一步進行競爭。
