【ITBEAR科技資訊】3月13日消息，近日，據韓國半導體業界消息，三星電子和SK海力士的主要半導體負責人在一次會議上表示，他們將會加速推進3D DRAM商業化，以克服DRAM的物理局限性。他們認為，3D DRAM是半導體產業的未來增長動力。
目前，全球的DRAM巨頭們都在推進3D DRAM的商業化進程，但遠不及美光公司。據悉，自2019年開始研究3D DRAM的美光公司已經獲得了兩家韓國公司的兩到三倍的專利數量。
在首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上，三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室室長李鐘明表示，制造10nm或更先進芯片的小型芯片將為制造商帶來巨大挑戰，3D DRAM是克服這種挑戰的方法。
而負責SK海力士未來技術研究所的副總經理車善龍也表示，他們將于明年公開3D DRAM的電子特性細節，以確定開發方向。
相比現有的DRAM市場，目前還沒有絕對的領導者，因此快速量產才是至關重要的。據了解，隨著人工智能應用產品的活躍，對高性能、大容量存儲半導體的需求也在不斷增加。
據ITBEAR科技資訊了解，三星電子和SK海力士今年實現量產的高端DRAM線寬為12納米。業界認為，考慮到目前DRAM線寬微縮至1納米將面臨的情況，新型DRAM商品化在3到4年后將會是一種必然，而不是一種方向。
可以預見，隨著三星電子和SK海力士開始加速3D DRAM技術的商用化，未來將會有更多廠商推出類似的技術方案和產品，市場競爭將會更加激烈。
