【ITBEAR科技資訊】3月17日消息，近日，據消息稱，SK海力士公司的35名工程師聯名提交了一份論文，闡述了他們如何攻克了300+層TLC閃存的難關。這項技術突破將進一步推動閃存芯片的發展。
SK海力士公司采用了TPGM、AUSP、PDS、APR以及PLRR等五項技術，實現了超過300層的TLC顆粒堆疊。這顆1Tb容量的TLC 3D閃存(3bit/Cell)達到了驚人的20Gb/mm2容量密度，寫入速度更是狂飆到194MB/s創紀錄。這一技術的突破為未來存儲器技術的發展帶來了更大的推動力。
據ITBEAR科技資訊了解，閃存芯片的進化方向是通過更多層地堆疊來實現更快的讀寫速度，同時提高單位面積的存儲容量，降低存儲成本。但隨著層數的增加，也會出現一系列挑戰，例如更高的能耗、更復雜的制造工藝、更難以維護的穩定性等。因此，SK海力士的成功是一個重要的里程碑，能夠為存儲器技術的未來發展帶來更多的機遇和挑戰。
SK海力士的300+層TLC將在2024年量產商用。這一突破將為閃存芯片制造商帶來更多的技術革新和商業機遇，也將推動存儲器技術的發展，為智能手機、筆記本電腦和數據中心等領域帶來更高效、更快速、更可靠的存儲器設備。
