【ITBEAR科技資訊】5月2日消息，三星電子正在與臺積電爭奪3納米芯片訂單，展開激烈的競爭和碰撞。據悉，三星的SF3是采用GAA-FET技術的首個3納米節點，已經向各大半導體設計公司送樣。三星聲稱，在節點開發階段，其生產良率可維持在60-70%的范圍內。對于客戶而言，良率是選擇合作伙伴時的關鍵因素之一，因為大客戶首先考慮的是產能，其次是晶圓成本。目前，臺積電的產能已被蘋果占據，三星試圖通過提供性能驗證來重新贏得客戶的青睞。
據ITBEAR科技資訊了解，三星3納米制程工藝已經獲得英偉達、高通、IBM、百度等公司的訂單，主要來自需要高性能和低功耗半導體的移動和HPC公司。三星計劃在2023-2024年將以3納米生產為主，包括SF3(3GAP)和其改進版本SF3P(3GAP+)，同時該公司還計劃在2025-2026年開始推出2納米級別節點。
值得一提的是，三星曾因其工程部門在2022年“捏造”良率以贏取客戶業務的爭議而備受詬病。不過，三星聲稱其在3納米節點開發階段的良率可維持在60-70%的范圍內，已進入穩定軌道。對于半導體行業來說，臺積電具有強大的影響力，憑借穩定現有先進制程良率的經驗，在訂單爭奪中領先一步。但在臺積電之前采用成本優勢的GAA技術，可能成為一個變數。
