【ITBEAR科技資訊】6月30日消息，據韓媒The Elec報道，三星存儲業務高管最近參加了電子工程師協會2023年夏季會議，并向與會者透露了關于三星V-NAND技術的最新進展。據三星高管表示，他們計劃在2030年前將V-NAND技術疊加到超過1000層。
自2013年三星首次推出24層V-NAND技術以來，經過十年的發展，三星已經成功將該技術拓展到200多層。這使得三星成為了韓國在創造技術和生態系統方面的一項重要成就，并延續了NAND技術的歷史。
三星高管表示，V-NAND技術的競爭將持續到超過1000層，并指出了在實現這一目標時面臨的挑戰。他們將面臨穩定性問題，就像建造摩天大樓一樣需要考慮坍塌、彎曲和斷裂等因素。此外，他們還需要解決連接孔加工工藝、電池干擾最小化、層高縮短以及每層存儲容量擴大等問題。
據ITBEAR科技資訊了解，三星存儲業務高管在會議上強調了V-NAND技術的重要性和潛力。他們表示，V-NAND技術不僅延續了NAND的發展歷程，也成為了韓國國家創造技術和生態系統的成功典范之一。
三星存儲業務一直致力于推動NAND技術的發展，并通過不斷創新和突破將V-NAND技術推向新的高度。隨著V-NAND技術的進一步演進，未來我們可以期待存儲容量的進一步提升和性能的提高，這將對各行業的發展和創新產生積極的影響。
