【ITBEAR科技資訊】6月28日消息，三星代工(Samsung Foundry)在今天的年度三星代工論壇(SFF 2023)上公布了其最新工藝技術(shù)路線圖。根據(jù)該公司的計劃，未來幾年內(nèi)將推出一系列先進的制造工藝。
三星代工計劃在2025年推出2納米級的SF2工藝，此前在今年早些時候推出的第三代3納米級(SF3)工藝的基礎(chǔ)上進行了進一步優(yōu)化。據(jù)悉，SF2工藝相較于SF3工藝，在相同的頻率和復雜度下提高了25%的功耗效率，提升了12%的性能，同時還減少了5%的面積。為了增強SF2工藝的競爭力，三星還將提供一系列先進的IP組合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，三星代工還計劃在2026年推出面向高性能計算(HPC)優(yōu)化的SF2P工藝，并在2027年推出面向汽車應用優(yōu)化的SF2A工藝。同時，在2027年，三星計劃開始使用SF1.4(1.4納米級)制造工藝進行量產(chǎn)。三星的2納米級工藝預計與臺積電的N2(2納米級)工藝大致同步，比英特爾的20A工藝晚一年左右。
除了工藝技術(shù)的提升，三星代工還將繼續(xù)發(fā)展其射頻技術(shù)。該公司計劃在2025年上半年準備就緒5納米射頻工藝技術(shù)，相比舊版14納米射頻工藝，新的5納米射頻技術(shù)預計能提高40%的功耗效率，以及約50%的晶體管密度。此外，三星代工計劃于2025年開始生產(chǎn)氮化鎵(GaN)功率半導體，用于消費品、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域等多種應用。
在技術(shù)供應能力方面，三星代工致力于擴大其在韓國平澤和美國得州泰勒市的制造能力。預計在2023年下半年，三星將在平澤3號生產(chǎn)線(P3)開始量產(chǎn)芯片。同時，泰勒市的新建廠房計劃于今年年底完工，并在2024年下半年開始運營。三星的目標是到2027年將其潔凈室容量增加7.3倍，以滿足不斷增長的市場需求。
三星代工的最新工藝技術(shù)路線圖公布引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。隨著各種先進工藝的推出和射頻技術(shù)的發(fā)展，三星有望在半導體制造領(lǐng)域保持競爭優(yōu)勢，并為各行各業(yè)提供更強大的芯片解決方案。
