據(jù)臺媒報道，臺灣竹科龍?zhí)秷@區(qū)擴建計劃與臺積電2納米以下建廠用地緊密相關，可行性評估的先導計劃于6月上旬已獲相關部門核定。竹科管理局指出，龍?zhí)秷@區(qū)擴建計劃土地共約158.59公頃，將提供2納米及以下技術的研發(fā)與量產(chǎn)進駐用地，有助提高臺灣半導體技術領先優(yōu)勢，估計開發(fā)完成后，可創(chuàng)造平均年產(chǎn)值約為6000~6500億元，提供約5900個就業(yè)機會。
竹科管理局負責人王永壯表示，龍?zhí)稊U建計劃預計7月辦理兩場聽證會，收集民眾意見，年底進入正式籌設計劃，大約2026年可提供用地建廠。
臺積電總裁魏哲家日前在公司股東會上表示，臺積電先進制程繼3納米在南科展開量產(chǎn)后，將致力擴充產(chǎn)能，2納米廠正在興建中，預計2025年量產(chǎn)，他首度揭露下世代的1.4納米制程也會在臺灣量產(chǎn)。對照龍?zhí)稊U建計劃以2納米及以下為進駐地，業(yè)界推估龍?zhí)稊U建計劃即是臺積電1.4納米制程建廠用地，可望于2026年建廠，2007年至2008年間量產(chǎn)。
根據(jù)竹科管理局曝光的龍?zhí)秷@區(qū)擴建計劃內容顯示，臺灣北部產(chǎn)業(yè)用地已捉襟見肘，半導體先進研發(fā)與先期量產(chǎn)廠用地更不足，將影響竹科在國際間的半導體核心地位，也影響與中南科量產(chǎn)新廠的鏈結。繼竹科寶山1期、2期擴建計劃成功提供臺積電作為先進制程研發(fā)與量產(chǎn)基地之后，選擇龍?zhí)秷@區(qū)東側為擴建基地，將作為供下世代2納米及以下技術的研發(fā)與量產(chǎn)進駐用。
龍?zhí)秷@區(qū)擴建計劃范圍約158.59公頃，公有土地共296筆約19.36公頃，占土地面積12.21%；私有土地共869筆約138.95 公頃，占土地面積達87.61%；計劃農業(yè)用地約89.42公頃，占總計畫面積56.38%，其他土地約17.2公頃、森林用地約15.64公頃、水利用地約13.67公頃及建筑用地約13.36公頃，分別各占總計劃面積10.84%、9.86%、8.62%及8.42%，其他還有交通用地、公共用地。計劃另有用地取得與居住安置方式。
竹科管理局表示，半導體產(chǎn)業(yè)為臺灣全力發(fā)展的科技產(chǎn)業(yè)，此擴建計劃可加強我國在半導體產(chǎn)業(yè)的競爭優(yōu)勢，提供先進制程適當建廠用地發(fā)展，預期有助于強化產(chǎn)業(yè)國際競爭力，更加提高臺灣半導體技術領先優(yōu)勢，估計園區(qū)平均年產(chǎn)值約為6,000~6,500億元，提供約5,900個就業(yè)機會，將有助于當?shù)亟?jīng)濟活動、居民收入等，同時也能刺激園區(qū)周邊產(chǎn)業(yè)發(fā)展快速，在原有龍?zhí)秷@區(qū)的基礎下，擴大疊加產(chǎn)業(yè)綜合效益，再次活絡周邊聚落發(fā)展，創(chuàng)造新商機及增加政府稅收。
【來源：集微網(wǎng)】
