1. 哪里看電腦硬盤內(nèi)存條頻率
不要怕麻煩，用軟件是有很多好處的。
HDTUNE可以測(cè)。
外包裝，上下封口處，紙皮是否完整。
打開(kāi)包裝有塑料味，各種配件存放有序，各種配線工業(yè)式捆扎，一般人捆不成那樣。
外包裝與機(jī)身序列號(hào)一致。
看散熱口內(nèi)側(cè)是否有灰。
轉(zhuǎn)軸處是否有灰，多試幾次開(kāi)合是否自然。
筆記本螺釘是否刮傷，封口是否損壞。
看鍵盤是否平整，尤其空格鍵。
底面橡膠墊是干凈的磨砂狀態(tài)。
用對(duì)Diskgenuis磁盤進(jìn)行壞道掃描。
用Activef掃描硬盤，是否有其他文件，有就是用過(guò)的硬盤。
用everest,hd tune,ludashi檢查硬盤通電時(shí)間，測(cè)內(nèi)存品牌，CPU，顯卡，顯示器，主板型號(hào)等各種信息，各種電壓是否正常。
用DISPLAYX測(cè)顯示器是否有壞點(diǎn)（固定色點(diǎn)、亮點(diǎn)、黑點(diǎn)）。
用CPU-Z檢測(cè)CPU 用GPU-Z檢測(cè)顯卡。
用wcpuid檢測(cè)處理器實(shí)時(shí)主頻。
出廠預(yù)裝操作系統(tǒng)的，第一次啟動(dòng)需要一定時(shí)間，不會(huì)馬上進(jìn)入桌面。
正規(guī)發(fā)票，保修卡。
2. 怎么看電腦內(nèi)存條頻率
1、在需要查看功耗的電腦上下載安裝“魯大師”工具，之后打開(kāi)運(yùn)行，然后切換到“硬件檢測(cè)”界面，然后再點(diǎn)擊左側(cè)底部的“功耗估算”。
2、之后魯大師會(huì)自動(dòng)檢測(cè)到電腦CPU、顯卡電壓、主板、硬盤電壓、內(nèi)存電壓等型號(hào)，并會(huì)顯示硬件功耗電壓。
3. 電腦內(nèi)存條在哪看頻率
電腦內(nèi)存條的運(yùn)行頻率的查詢方法，主要是通過(guò)命令實(shí)現(xiàn)的。
首先是按下WIN鍵+R組合鍵，打開(kāi)運(yùn)行，輸入cmd，回車，進(jìn)入命令提示符窗口，在其中輸入wmic memorychip注意，wmic和memorychip兩個(gè)單詞之間的空格不要忽略，之后就可以進(jìn)入到頻率的查詢界面。
4. 電腦上怎么看內(nèi)存條頻率
在設(shè)備管理器中是沒(méi)有內(nèi)存條信息的，所以你是看不到的。
1，鼠標(biāo)右鍵單擊我的電腦－－屬性－－在“常規(guī)”選項(xiàng)卡上下面的位置你就可以看到內(nèi)存的大小，如果你電腦的顯卡是獨(dú)立顯卡，在這里顯示的內(nèi)存大小就是實(shí)際大小。如果是集成顯卡在這里顯示的內(nèi)存大小就是實(shí)際大小還需要加上顯存占用的大小。
2，重啟電腦，按住Del鍵進(jìn)入bios設(shè)置主界面，選擇第一項(xiàng)回車，進(jìn)入的新界面中你就可以看到內(nèi)存的實(shí)際大小了。
3，如果你還想知道內(nèi)存的規(guī)格型號(hào)等信息，可以打開(kāi)機(jī)箱查看，再就是借助第三方軟件查看，如windows優(yōu)化大師。
5. 在哪看電腦內(nèi)存條頻率
查看CPU運(yùn)行頻率直接桌面上按組合鍵Ctrl + Shift + Del ,調(diào)出“任務(wù)管理器”窗口,主要硬件CPU、內(nèi)存、硬盤的使用率。
其他方法/步驟
1.首先，打開(kāi)軟件CPU-Z。沒(méi)有這個(gè)軟件的可以自己去網(wǎng)上下載一個(gè)，不要問(wèn)我怎么下（最好下載漢化的）
2.在這里，你可以看到當(dāng)前CPU的運(yùn)行頻率。這個(gè)頻率不是始終一樣的，而是根據(jù)當(dāng)前的電腦環(huán)境，有所波動(dòng)的。
3.通過(guò)這個(gè)可以看出當(dāng)前電腦CPU的頻率。
4.CPU-Z這個(gè)軟件還能查詢當(dāng)前電腦內(nèi)存條信息。方便的知道內(nèi)存容量，以便后續(xù)升級(jí)。
5.CPU
還有個(gè)重要的要素就是緩存，一般而言，緩存越大，能夠儲(chǔ)存的東西就越多，速度也會(huì)越快。
6.這個(gè)軟件還有一些比較實(shí)用的功能，比如查看顯卡信息等。要查看顯卡，也可下載GPU-Z這軟件喔。
拓展資料
CPU頻率，就是CPU的時(shí)鐘頻率，簡(jiǎn)單說(shuō)是CPU運(yùn)算時(shí)的工作的頻率（1秒內(nèi)發(fā)生的同步脈沖數(shù)）的簡(jiǎn)稱。單位是Hz。它決定計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度，隨著計(jì)算機(jī)的發(fā)展，主頻由過(guò)去MHZ發(fā)展到了當(dāng)前的GHZ（1GHZ=10^3MHZ=10^6KHZ= 10^9HZ）。
通常來(lái)講，在同系列微處理器，主頻越高就代表計(jì)算機(jī)的速度也越快，但對(duì)于不同類型的處理器，它就只能作為一個(gè)參數(shù)來(lái)作參考。另外CPU的運(yùn)算速度還要看CPU的流水線的各方面的性能指標(biāo)。由于主頻并不直接代表運(yùn)算速度，所以在一定情況下，很可能會(huì)出現(xiàn)主頻較高的CPU實(shí)際運(yùn)算速度較低的現(xiàn)象。因此主頻僅僅是CPU性能表現(xiàn)的一個(gè)方面，而不代表CPU的整體性能。
6. 哪里看電腦硬盤內(nèi)存條頻率高低
可以的。
1.換內(nèi)存條的原則是：新選擇的內(nèi)存條頻率和原來(lái)的相同，大小大于原內(nèi)存條即可。
2.還可以新增一條內(nèi)存條組成雙通道內(nèi)存，從而提升電腦的性能，新增內(nèi)存條的原則是：新選擇的內(nèi)存條需要和原來(lái)的大小型號(hào)相同，否則會(huì)出現(xiàn)不兼容的情況。
3.內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn)行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非常大。
4.內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)，以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。只要計(jì)算機(jī)在運(yùn)行中，CPU就會(huì)把需要運(yùn)算的數(shù)據(jù)調(diào)到內(nèi)存中進(jìn)行運(yùn)算，當(dāng)運(yùn)算完成后CPU再將結(jié)果傳送出來(lái)，內(nèi)存的運(yùn)行也決定了計(jì)算機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。內(nèi)存是由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成的。
7. 怎樣查看電腦內(nèi)存條頻率
1打開(kāi)電腦管家，點(diǎn)擊工具箱-硬件檢測(cè)
2進(jìn)入硬件檢測(cè)頁(yè)面，點(diǎn)擊內(nèi)存信息，看到內(nèi)存頻率，1600MHZ的是第三代內(nèi)存條
第一代內(nèi)存條:200/266/300/400MHZ 第二代內(nèi)存條:533/667/800MHZ
第三代內(nèi)存條:1066/1600/2133/1333MHZ
第四代內(nèi)存條:3000/2666/3200/2400MHZ
8. 怎樣看電腦內(nèi)存條的頻率
一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD上。2-2-2-8 4個(gè)數(shù)字的含義依次為：CAS Latency（簡(jiǎn)稱CL值）內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間。Row－active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關(guān)注的4項(xiàng)時(shí)序調(diào)節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設(shè)定，內(nèi)存模組廠商也有計(jì)劃的推出了低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲型超頻內(nèi)存模組，在同樣頻率設(shè)定下，最低“2-2-2-5”這種序列時(shí)序的內(nèi)存模組確實(shí)能夠帶來(lái)比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3至5個(gè)百分點(diǎn)。
在一些技術(shù)文章里介紹內(nèi)存設(shè)置時(shí)序參數(shù)時(shí)，一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現(xiàn)在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個(gè)參數(shù)及BIOS設(shè)置中影響內(nèi)存性能的其它參數(shù)逐一給大家作一介紹：
一、內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置
首先，需要在BIOS中打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該先打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表：
Command Per Clock(CPC)
可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過(guò)DIMM上CS片選信號(hào)進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。
顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過(guò)短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。
該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)3就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。
CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說(shuō)是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開(kāi)始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開(kāi)始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過(guò)CAS訪問(wèn)所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開(kāi)始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫操作。CL值為2為會(huì)獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無(wú)法設(shè)為3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第1個(gè)4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時(shí)，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。
如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說(shuō)越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o(wú)謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無(wú)法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫速度就越快。
tRP用來(lái)設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致所有的行激活延遲過(guò)長(zhǎng)，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對(duì)大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，不能順利地完成讀寫操作。對(duì)于桌面計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。
如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時(shí)獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無(wú)法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。
Row Cycle Time(tRC)
可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時(shí)間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個(gè)過(guò)程所需要的最小的時(shí)鐘周期數(shù)。
其計(jì)算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，會(huì)因在完成整個(gè)時(shí)鐘周期后激活新的地址而等待無(wú)謂的延時(shí)，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過(guò)小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。
在這種情況下，仍會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個(gè)時(shí)鐘周期，而tRP的值為4個(gè)時(shí)鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個(gè)時(shí)鐘周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可選的設(shè)置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時(shí)間”，它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個(gè)行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達(dá)到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是建議值。建議從17開(kāi)始依次遞減來(lái)測(cè)試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個(gè)時(shí)鐘周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可選的設(shè)置：Auto， 0-7，每級(jí)以1的步幅遞增。
Row to Row Delay，也被稱為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時(shí)"。該值也表示向相同的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRRD值越小越好。
延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，推薦tRRD值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時(shí)的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。
如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數(shù)，4時(shí)能達(dá)到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩(wěn)定運(yùn)行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可選的設(shè)置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“寫恢復(fù)延時(shí)”。該值說(shuō)明在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫操作及預(yù)充電前，必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必須的時(shí)鐘周期用來(lái)確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過(guò)低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。
如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2；如果使用或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。
Write to Read Delay(tWTR)
可選的設(shè)置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫延時(shí)”。三星公司稱其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進(jìn)入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個(gè)單元中，在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。
tWTR值為2在高時(shí)鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運(yùn)行于高速度下。換句話說(shuō)，增加tWTR值，可以讓內(nèi)容模塊運(yùn)行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。
Refresh Period(tREF)
可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進(jìn)值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。
先請(qǐng)看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對(duì)應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬(wàn)分之一秒)。?號(hào)在這里表示該刷新周期尚無(wú)對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。
1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz ---------------------
3632= 100mhz 4128= 133mhz
4672= 166mhz
0064= 200mhz
---------------------
0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz
---------------------
1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz ---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto選項(xiàng)，主板BIOS將會(huì)查詢內(nèi)存上的一個(gè)很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲(chǔ)了內(nèi)存條的各種相關(guān)工作參數(shù)等信息，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)中最保守的設(shè)置來(lái)確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。如過(guò)要追求最優(yōu)的性能，則需手動(dòng)設(shè)置刷新周期的參數(shù)。一般說(shuō)來(lái)，15.6us適用于基于128兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為16MB的內(nèi)存），而7.8us適用于基于256兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為32MB的內(nèi)存）。注意，如果tREF刷新周期設(shè)置不當(dāng)，將會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存單元丟失其數(shù)據(jù)。
另外根據(jù)其他的資料顯示，內(nèi)存存儲(chǔ)每一個(gè)bit，都需要定期的刷新來(lái)充電。不及時(shí)充電會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失。DRAM實(shí)際上就是電容器，最小的存儲(chǔ)單位是bit。陣列中的每個(gè)bit都能被隨機(jī)地訪問(wèn)。但如果不充電，數(shù)據(jù)只能保存很短的時(shí)間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時(shí)數(shù)據(jù)就被重寫一次。正是這個(gè)原因DRAM也被稱為非永久性存儲(chǔ)器。一般通過(guò)同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內(nèi)存每刷新一行耗費(fèi)15.6us的時(shí)間。因此一個(gè)2Kb的內(nèi)存每列的刷新時(shí)間為15.6?s x2048行=32ms。
9. 電腦怎么看內(nèi)存條的頻率
1.
內(nèi)存條標(biāo)簽上看內(nèi)存頻率 取出電腦內(nèi)存,找到帶有標(biāo)簽的一面,上面有很多參數(shù),比如金士頓第一排KVR24N17D8/8-SP,KVR代表經(jīng)濟(jì)型,24N表示它的頻率2400MHZ,D8表示單面8顆顆粒,/8表示容量8G。
2.
BIOS系統(tǒng)查看內(nèi)存頻率 打開(kāi)電腦,開(kāi)機(jī)顯示主板LOGO時(shí)按DEL鍵,進(jìn)入BIOS,進(jìn)入之后選擇Main(標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定),查看里面的memory frequency(內(nèi)存頻率),后面的數(shù)字2400MHZ代表此內(nèi)存頻率大小。
3.
進(jìn)入電腦系統(tǒng)查看內(nèi)存頻率 進(jìn)入win10系統(tǒng),按組合鍵ctrl+alt+del,選擇任務(wù)管理器,點(diǎn)擊上方的性能,點(diǎn)擊“內(nèi)存”在右下方可以看到內(nèi)存使用情況,以及速度2666MHZ,這里的速度指內(nèi)存頻率。
10. 電腦內(nèi)存條怎么看頻率
電腦內(nèi)存條的頻率，到底內(nèi)存頻率對(duì)性能影響有多大，剛開(kāi)始了解電腦硬件的小伙伴估計(jì)有很多這方面的疑惑。總之就是高頻內(nèi)存條的頻率到底是由誰(shuí)來(lái)決定，我相信看完這篇文章之后，你會(huì)有一個(gè)明晰的答案，對(duì)于以后在選擇硬件的時(shí)候也會(huì)大有助益。
方法/步驟
1，頻率是什么？?jī)?nèi)存條的頻率是什么？其實(shí)和CPU頻率概念差不多，都是用來(lái)表示其工作性能，也就是處理速度的這么一項(xiàng)參數(shù)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的時(shí)鐘速度是以頻率來(lái)衡量的，頻率越高速度就越快，一般我們從CPU-z讀取到的頻率是核心頻率，而內(nèi)存條標(biāo)注頻率一般是指等效頻率，一般等效頻率是核心頻率的兩倍。內(nèi)存本身不能決定其工作的頻率，其工作頻率受制于主板和CPU工作頻率。
2，這里我給你舉個(gè)列子能更好說(shuō)明此類問(wèn)題，如果你買了一個(gè)2133MHz頻率的內(nèi)存條，CPU 是I7 其支持的最大內(nèi)存頻率是2400，并且同時(shí)主板支持最大的頻率如果也是2400的話，那么在不超頻的前提下你將你的內(nèi)存條插入到主板之后，內(nèi)存條就會(huì)在默認(rèn)的2133頻率下工作。
3，如果你買了一條2400頻率的內(nèi)存條，如果CPU支持最大到2400，但是主板最大只能支持到2133，那么你的2400頻率的內(nèi)存條也只能在2133頻率下工作，因?yàn)橹靼宓牡那岸丝偩€頻率最高也就這么高。
4，如果你購(gòu)買的是3200MHZ頻率的內(nèi)存條，但是主板和CPU都不支持這么高的內(nèi)存頻率，那么內(nèi)存條只能按照主板支持的內(nèi)存頻率走，你會(huì)發(fā)現(xiàn)內(nèi)存條的頻率最終是有主板決定的。
5，因此科學(xué)的解釋就是：內(nèi)存本身并不具備晶體振蕩器，因此內(nèi)存工作時(shí)的時(shí)鐘信號(hào)是由主板芯片組的北橋或直接由主板的時(shí)鐘發(fā)生器提供的，也就是說(shuō)內(nèi)存無(wú)法決定自身的工作頻率，其實(shí)際工作頻率是由主板來(lái)決定的。
6，但是一般情況下主板不會(huì)成為內(nèi)存頻率的瓶頸，而CPU內(nèi)部的內(nèi)存控制器一般會(huì)成為內(nèi)存頻率的瓶頸，因此很多時(shí)候是因?yàn)镃PU的因素而限制了內(nèi)存頻率的發(fā)揮，但是并不是內(nèi)存頻率越高越好，這個(gè)時(shí)候內(nèi)存頻率一般和內(nèi)存控制器的頻率一致，才能發(fā)揮內(nèi)存條的頻率優(yōu)勢(shì)。
