【ITBEAR科技資訊】7月3日消息，臺(tái)積電正計(jì)劃將其制程工藝轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的3納米技術(shù)，并有望在今年開始量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)積電副總經(jīng)理張曉強(qiáng)透露，預(yù)計(jì)首個(gè)采用3納米工藝的產(chǎn)品將是蘋果的A17芯片。隨后，臺(tái)積電還計(jì)劃推出多個(gè)版本的3納米工藝。此外，臺(tái)積電也在有條不紊地進(jìn)行2納米工藝的研發(fā)工作，該工藝被命名為N2，并計(jì)劃于2025年開始量產(chǎn)。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，張曉強(qiáng)還透露了2納米工藝的良率情況。目前，256Mb SRAM芯片在2納米工藝下的良率已經(jīng)達(dá)到了50%以上，并且預(yù)計(jì)未來的目標(biāo)將達(dá)到80%以上。2納米工藝將采用GAA(Gate-All-Around)晶體管，而不再使用FinFET晶體管。與N3E工藝相比，N2工藝在相同功耗下速度可增加10%-15%，或在相同速度下功耗可降低25%-30%。然而，晶體管密度的提升僅為10%-20%。
雖然2納米工藝帶來了技術(shù)上的先進(jìn)性，但也伴隨著更高的代工價(jià)格。在3納米工藝漲價(jià)至2萬美元的基礎(chǔ)上，2納米工藝的代工價(jià)格將達(dá)到2.5萬美元，相當(dāng)于超過18萬元人民幣。幸運(yùn)的是，臺(tái)積電計(jì)劃在不久的將來在竹科基地建立一條小規(guī)模試產(chǎn)生產(chǎn)線，試產(chǎn)量預(yù)計(jì)將接近千片。
如果試產(chǎn)順利，臺(tái)積電將在竹科寶山晶圓20廠進(jìn)行進(jìn)一步的建設(shè)工作，以實(shí)現(xiàn)2024年的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)和2025年的量產(chǎn)目標(biāo)。臺(tái)積電對(duì)于新一代工藝的研發(fā)和量產(chǎn)展示了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，臺(tái)積電在工藝領(lǐng)域的突破將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，并帶來更強(qiáng)大、更高效的芯片產(chǎn)品。
