【ITBEAR科技資訊】7月3日消息，臺積電正計劃將其制程工藝轉(zhuǎn)向更先進的3納米技術(shù)，并有望在今年開始量產(chǎn)。據(jù)臺積電副總經(jīng)理張曉強透露，預計首個采用3納米工藝的產(chǎn)品將是蘋果的A17芯片。隨后，臺積電還計劃推出多個版本的3納米工藝。此外，臺積電也在有條不紊地進行2納米工藝的研發(fā)工作，該工藝被命名為N2，并計劃于2025年開始量產(chǎn)。
據(jù)ITBEAR科技資訊了解，張曉強還透露了2納米工藝的良率情況。目前，256Mb SRAM芯片在2納米工藝下的良率已經(jīng)達到了50%以上，并且預計未來的目標將達到80%以上。2納米工藝將采用GAA(Gate-All-Around)晶體管，而不再使用FinFET晶體管。與N3E工藝相比，N2工藝在相同功耗下速度可增加10%-15%，或在相同速度下功耗可降低25%-30%。然而，晶體管密度的提升僅為10%-20%。
雖然2納米工藝帶來了技術(shù)上的先進性，但也伴隨著更高的代工價格。在3納米工藝漲價至2萬美元的基礎(chǔ)上，2納米工藝的代工價格將達到2.5萬美元，相當于超過18萬元人民幣。幸運的是，臺積電計劃在不久的將來在竹科基地建立一條小規(guī)模試產(chǎn)生產(chǎn)線，試產(chǎn)量預計將接近千片。
如果試產(chǎn)順利，臺積電將在竹科寶山晶圓20廠進行進一步的建設(shè)工作，以實現(xiàn)2024年的風險試產(chǎn)和2025年的量產(chǎn)目標。臺積電對于新一代工藝的研發(fā)和量產(chǎn)展示了強大的技術(shù)實力和市場競爭優(yōu)勢。對于全球半導體產(chǎn)業(yè)來說，臺積電在工藝領(lǐng)域的突破將推動整個行業(yè)的發(fā)展，并帶來更強大、更高效的芯片產(chǎn)品。
