【ITBEAR科技資訊】7月3日消息，天岳先進在最近舉行的Semicon China展會上展示了其最新的技術成果。作為全球規(guī)模最大、最具影響力的半導體專業(yè)展，Semicon China覆蓋了芯片設計、制造、封測、設備、材料、光伏和顯示等產業(yè)。在這次展會上，天岳先進向公眾展示了他們最新開發(fā)的8英寸碳化硅襯底的技術進展。
天岳先進的首席技術官高超博士介紹說，目前該公司主要生產6英寸導電型碳化硅襯底，并且他們的上海臨港工廠已經進入產品交付階段。此外，他們的8英寸產品也已經具備了產業(yè)化能力。
根據ITBEAR科技資訊了解，最近天岳先進采用液相法成功制備出了低缺陷的8英寸碳化硅晶體。通過熱場、溶液設計和工藝創(chuàng)新，天岳先進首次突破了碳化硅單晶的高質量生長界面控制和缺陷控制難題。此外，他們采用最新技術制備的晶體厚度已經突破了60毫米，這在大尺寸單晶高效制備方面也是行業(yè)內的首創(chuàng)。
據了解，目前市場上主流的碳化硅晶片尺寸為6英寸，但8英寸襯底正成為技術演化的方向。國際大廠Wolfspeed、ROHM、英飛凌等公司也已經開始布局8英寸襯底。相比于6英寸襯底，8英寸的面積增加了約78%，從同等條件下的8英寸襯底上切割出的芯片數量將提高近90%，這將有效降低單位綜合成本達50%。
今年5月，天岳先進與英飛凌簽訂了一項新的晶圓和晶錠供應協議，將供應碳化硅6英寸襯底，并且合作制備8英寸襯底。這一合作將進一步推動碳化硅襯底的產業(yè)化進程，為半導體行業(yè)的發(fā)展帶來新的機遇。
